Выпуски

 / 

2003

 / 

Июнь

  

Приборы и методы исследований


Теллурид кадмия-ртути и новое покoление приборов инфракрасной фотоэлектроники


Государственное унитарное предприятие «НПО ’Орион» Государственный научный центр Российской Федерации (ГНЦ РФ ФГУП НПО Орион), шоссе Энтузиастов 46/2, Москва, 111123, Российская Федерация

Описаны основные результаты и этапы создания в 1969-2002 гг. полупроводниковых твердых растворов теллуридов кадмия-ртути (монокристаллов и эпитаксиальных слоев), а также фотоприемников инфракрасного диапазона на их основе (фоторезисторов и фотодиодов, в том числе матричных).

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 01.65.+g, 07.57.Kp, 85.60.Gz (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0173.200306c.0649
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2003/6/c/
Цитата: Пономаренко В П "Теллурид кадмия-ртути и новое покoление приборов инфракрасной фотоэлектроники" УФН 173 649–665 (2003)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Ponomarenko V P “Cadmium mercury telluride and the new generation of photoelectronic devicesPhys. Usp. 46 629–644 (2003); DOI: 10.1070/PU2003v046n06ABEH001372

© Успехи физических наук, 1918–2018
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение