Выпуски

 / 

1985

 / 

Февраль

  

Физика наших дней


Некоторые физические аспекты ионной имплантации


Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Имплантация ионов и родственные ей процессы осаждения и распыления.— Неравновесностъ и метастабильность ионно-имплантированных структур.— Аморфные твердые тела, создаваемые имплантацией ионов, и планарные структуры, их включающие.— Рекристаллизация слоев, легированных или (и) амортизированных имплантацией ионов.— Анализ состава и свойств ионно-имплантированных планарных структур.— Метод анализа спектров фото- и катодолюминесценции ионно-имплантированных слоев.— Оптическая методика изучения приповерхностных слоев ионно-имплантированных структур.— Емкостная спектроскопия энергетических уровней.— О пределах применимости ионной имплантации как метода управления свойствами полупроводников и других твердых тел.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 81.15.Cd, 68.55.Ln, 68.55.Nq, 78.55.−m, 78.60.Hk, 78.66.Jg (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0145.198502e.0329
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1985/2/e/
Цитата: Вавилов В С "Некоторые физические аспекты ионной имплантации" УФН 145 329–346 (1985)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Vavilov V S “Some physical aspects of ion implantationSov. Phys. Usp. 28 196–206 (1985); DOI: 10.1070/PU1985v028n02ABEH003854

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение