Некоторые физические аспекты ионной имплантации
В.С. Вавилов
Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
Имплантация ионов и родственные ей процессы осаждения и распыления.—
Неравновесностъ и метастабильность ионно-имплантированных структур.—
Аморфные твердые тела, создаваемые имплантацией ионов, и планарные структуры, их включающие.— Рекристаллизация слоев, легированных или (и)
амортизированных имплантацией ионов.— Анализ состава и свойств ионно-имплантированных планарных структур.— Метод анализа спектров фото-
и катодолюминесценции ионно-имплантированных слоев.— Оптическая методика изучения приповерхностных слоев ионно-имплантированных структур.—
Емкостная спектроскопия энергетических уровней.— О пределах применимости ионной имплантации как метода управления свойствами полупроводников и других твердых тел.
|