Некоторые физические аспекты ионной имплантации

Имплантация ионов и родственные ей процессы осаждения и распыления.— Неравновесностъ и метастабильность ионно-имплантированных структур.— Аморфные твердые тела, создаваемые имплантацией ионов, и планарные структуры, их включающие.— Рекристаллизация слоев, легированных или (и) амортизированных имплантацией ионов.— Анализ состава и свойств ионно-имплантированных планарных структур.— Метод анализа спектров фото- и катодолюминесценции ионно-имплантированных слоев.— Оптическая методика изучения приповерхностных слоев ионно-имплантированных структур.— Емкостная спектроскопия энергетических уровней.— О пределах применимости ионной имплантации как метода управления свойствами полупроводников и других твердых тел.

Текст pdf (1,4 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1985v028n02ABEH003854

PACS: 81.15.Cd, 68.55.Ln, 68.55.Nq, 78.55.−m, 78.60.Hk, 78.66.Jg (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0145.198502e.0329
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1985/2/e/
Цитата: Вавилов В С "Некоторые физические аспекты ионной имплантации" УФН 145 329–346 (1985)

BibTexBibNote ® (generic)

BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

TY JOUR
TI Некоторые физические аспекты ионной имплантации
AU Вавилов, В. С.
PB Успехи физических наук
PY 1985
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 145
IS 2
SP 329-346
UR https://ufn.ru/ru/articles/1985/2/e/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0145.198502e.0329

English citation: Vavilov V S “Some physical aspects of ion implantation” Sov. Phys. Usp. 28 196–206 (1985); DOI: 10.1070/PU1985v028n02ABEH003854