Выпуски

 / 

1985

 / 

Февраль

  

Физика наших дней


Некоторые физические аспекты ионной имплантации


Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Имплантация ионов и родственные ей процессы осаждения и распыления.— Неравновесностъ и метастабильность ионно-имплантированных структур.— Аморфные твердые тела, создаваемые имплантацией ионов, и планарные структуры, их включающие.— Рекристаллизация слоев, легированных или (и) амортизированных имплантацией ионов.— Анализ состава и свойств ионно-имплантированных планарных структур.— Метод анализа спектров фото- и катодолюминесценции ионно-имплантированных слоев.— Оптическая методика изучения приповерхностных слоев ионно-имплантированных структур.— Емкостная спектроскопия энергетических уровней.— О пределах применимости ионной имплантации как метода управления свойствами полупроводников и других твердых тел.

Текст pdf (1,4 Мб)
PACS: 81.15.Cd, 68.55.Ln, 68.55.Nq, 78.55.−m, 78.60.Hk, 78.66.Jg (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0145.198502e.0329
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1985/2/e/
Цитата: Вавилов В С "Некоторые физические аспекты ионной имплантации" УФН 145 329–346 (1985)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks
Русский English
RT Journal
T1 Некоторые физические аспекты ионной имплантации
A1 Вавилов,В.С.
PB Успехи физических наук
PY 1985
FD 10 Feb, 1985
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 145
IS 2
SP 329-346
DO 10.3367/UFNr.0145.198502e.0329
LK https://ufn.ru/ru/articles/1985/2/e/

English citation: Vavilov V S “Some physical aspects of ion implantationSov. Phys. Usp. 28 196–206 (1985); DOI: 10.1070/PU1985v028n02ABEH003854

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение