RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 11, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

1985

 / 

Январь

←  →

Обзоры актуальных проблем


Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа AIVBVI

,

В обзоре изложены результаты экспериментальных и теоретических работ, посвященных обнаружению и исследованию глубоких уровней, связанных с примесями и собственными дефектами в полупроводниках типа AIVBV I. Наиболее детально обсуждаются примеси III группы. Эксперименты (электрофизические, оптические, теплофизические) свидетельствуют о существовании локализованных и резонансных состояний в материалах, легированных индием и таллием, а также (менее однозначно) галлием и алюминием. При легировании индием особенно ярко проявляется стабилизация химического потенциала, приводящая к исключительно высокой электрической однородности образцов, обнаружена долговременная релаксация концентрации неравновесных электронов. Уровень Ферми существенно изменяется с составом материала, температурой, давлением. При легировании таллием обнаружены сильное резонансное рассеяние дырок, электронная примесная теплоемкость и сверхпроводимость, обусловленные наличием резонансных состояний. Сделан обзор теоретических и экспериментальных данных о локализованных и резонансных состояниях, связанных с вакансиями и комплексами собственных дефектов, а также с примесями переходных металлов, висмута, кадмия, олова, германия. Обсуждаются генезис уровней, энергия взаимодействия электронов на примесном центре, механизмы релаксации, сверхпроводимости. Табл. 1, ил. 18, библиогр. ссылок 121 (133 назв.).

Текст pdf (3,1 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1985v028n01ABEH003632
PACS: 71.55.−i, 71.20.Nr, 61.72.Ji, 72.20.My, 65.40.Ba (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0145.198501b.0051
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1985/1/b/
Цитата: Кайданов В И, Равич Ю И "Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа AIVBVI" УФН 145 51–86 (1985)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Kaidanov V I, Ravich Yu I “Deep and resonance states in AIV BVI semiconductors” Sov. Phys. Usp. 28 31–53 (1985); DOI: 10.1070/PU1985v028n01ABEH003632

Статьи, ссылающиеся на эту (244) Похожие статьи (20) ↓

  1. С.А. Немов, Ю.И. Равич «Примесь таллия в халькогенидах свинца: методы исследования и особенности» УФН 168 817–842 (1998)
  2. Б.А. Волков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов «Примеси с переменной валентностью в твердых растворах на основе теллурида свинца» УФН 172 875–906 (2002)
  3. Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов «Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца» УФН 184 1033–1044 (2014)
  4. А.В. Дмитриев, И.П. Звягин «Современные тенденции развития физики термоэлектрических материалов» УФН 180 821–838 (2010)
  5. И.М. Цидильковский «Бесщелевые полупроводники с магнитными примесями, образующими резонансные донорные состояния» УФН 162 (2) 63–105 (1992)
  6. И.И. Ляпилин, И.М. Цидильковский «Узкощелевые полумагнитные полупроводники» УФН 146 35–72 (1985)
  7. И.К. Кикоин, С.Д. Лазарев «Фотоэлектромагнитный эффект» УФН 124 597–617 (1978)
  8. С.П. Андреев «Спектры и кинетика систем с магнитопримесными состояниями при конечном радиусе потенциала» УФН 143 213–238 (1984)
  9. М.Ф. Дейген, М.Д. Глинчук «Параэлектрический резонанс нецентральных ионов» УФН 114 185–211 (1974)
  10. Г.Р. Хуцишвили «Эффект Оверхаузера и родственные явления» УФН 71 9–69 (1960)
  11. В.В. Кирсанов, А.Н. Орлов «Моделирование на ЭВМ атомных конфигураций дефектов в металлах» УФН 142 219–264 (1984)
  12. М.А. Кривоглаз «Флуктуонные состояния электронов» УФН 111 617–654 (1973)
  13. Ч.Б. Лущик, И.К. Витол, М.А. Эланго «Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах» УФН 122 223–251 (1977)
  14. Р.В. Парфеньев, Г.И. Харус и др. «Магнитофононный резонанс в полупроводниках» УФН 112 3–36 (1974)
  15. А.Л. Эфрос «Плотность состояний и межзонное поглощение света в сильно легированных полупроводниках» УФН 111 451–482 (1973)
  16. Б.Н. Мукашев, Х.А. Абдуллин, Ю.В. Горелкинский «Метастабильные и бистабильные дефекты в кремнии» УФН 170 143–155 (2000)
  17. А.П. Жернов, А.В. Инюшкин «Влияние композиции изотопов на фононные моды. Статические атомные смещения в кристаллах» УФН 171 827–854 (2001)
  18. А.Д. Гладун, П.П. Барашев «Внешний многоквантовый фотоэффект» УФН 98 493–524 (1969)
  19. А.В. Елецкий, Б.М. Смирнов «Фуллерены и структуры углерода» УФН 165 977–1009 (1995)
  20. А.И. Олемской, И.А. Скляр «Эволюция дефектной структуры твердого тела в процессе пластической деформации» УФН 162 (6) 29–79 (1992)

Список формируется автоматически.
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение