Выпуски

 / 

1985

 / 

Январь

  

Обзоры актуальных проблем


Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа AIVBVI

В обзоре изложены результаты экспериментальных и теоретических работ, посвященных обнаружению и исследованию глубоких уровней, связанных с примесями и собственными дефектами в полупроводниках типа AIVBV I. Наиболее детально обсуждаются примеси III группы. Эксперименты (электрофизические, оптические, теплофизические) свидетельствуют о существовании локализованных и резонансных состояний в материалах, легированных индием и таллием, а также (менее однозначно) галлием и алюминием. При легировании индием особенно ярко проявляется стабилизация химического потенциала, приводящая к исключительно высокой электрической однородности образцов, обнаружена долговременная релаксация концентрации неравновесных электронов. Уровень Ферми существенно изменяется с составом материала, температурой, давлением. При легировании таллием обнаружены сильное резонансное рассеяние дырок, электронная примесная теплоемкость и сверхпроводимость, обусловленные наличием резонансных состояний. Сделан обзор теоретических и экспериментальных данных о локализованных и резонансных состояниях, связанных с вакансиями и комплексами собственных дефектов, а также с примесями переходных металлов, висмута, кадмия, олова, германия. Обсуждаются генезис уровней, энергия взаимодействия электронов на примесном центре, механизмы релаксации, сверхпроводимости. Табл. 1, ил. 18, библиогр. ссылок 121 (133 назв.).

Текст pdf (3,1 Мб)
PACS: 71.55.−i, 71.20.Nr, 61.72.Ji, 72.20.My, 65.40.Ba (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0145.198501b.0051
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1985/1/b/
Цитата: Кайданов В И, Равич Ю И "Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа AIVBVI" УФН 145 51–86 (1985)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Kaidanov V I, Ravich Yu I “Deep and resonance states in AIV BVI semiconductorsSov. Phys. Usp. 28 31–53 (1985); DOI: 10.1070/PU1985v028n01ABEH003632

Статьи, ссылающиеся на эту (239) Похожие статьи (20) ↓

  1. С.А. Немов, Ю.И. Равич «Примесь таллия в халькогенидах свинца: методы исследования и особенности» 168 817–842 (1998)
  2. Б.А. Волков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов «Примеси с переменной валентностью в твердых растворах на основе теллурида свинца» 172 875–906 (2002)
  3. А.В. Дмитриев, И.П. Звягин «Современные тенденции развития физики термоэлектрических материалов» 180 821–838 (2010)
  4. Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов «Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца» 184 1033–1044 (2014)
  5. И.М. Цидильковский «Бесщелевые полупроводники с магнитными примесями, образующими резонансные донорные состояния» 162 (2) 63–105 (1992)
  6. И.И. Ляпилин, И.М. Цидильковский «Узкощелевые полумагнитные полупроводники» 146 35–72 (1985)
  7. И.К. Кикоин, С.Д. Лазарев «Фотоэлектромагнитный эффект» 124 597–617 (1978)
  8. С.П. Андреев «Спектры и кинетика систем с магнитопримесными состояниями при конечном радиусе потенциала» 143 213–238 (1984)
  9. М.Ф. Дейген, М.Д. Глинчук «Параэлектрический резонанс нецентральных ионов» 114 185–211 (1974)
  10. Г.Р. Хуцишвили «Эффект Оверхаузера и родственные явления» 71 9–69 (1960)
  11. В.В. Кирсанов, А.Н. Орлов «Моделирование на ЭВМ атомных конфигураций дефектов в металлах» 142 219–264 (1984)
  12. М.А. Кривоглаз «Флуктуонные состояния электронов» 111 617–654 (1973)
  13. Ч.Б. Лущик, И.К. Витол, М.А. Эланго «Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах» 122 223–251 (1977)
  14. Р.В. Парфеньев, Г.И. Харус и др. «Магнитофононный резонанс в полупроводниках» 112 3–36 (1974)
  15. А.Л. Эфрос «Плотность состояний и межзонное поглощение света в сильно легированных полупроводниках» 111 451–482 (1973)
  16. Б.Н. Мукашев, Х.А. Абдуллин, Ю.В. Горелкинский «Метастабильные и бистабильные дефекты в кремнии» 170 143–155 (2000)
  17. А.П. Жернов, А.В. Инюшкин «Влияние композиции изотопов на фононные моды. Статические атомные смещения в кристаллах» 171 827–854 (2001)
  18. А.Д. Гладун, П.П. Барашев «Внешний многоквантовый фотоэффект» 98 493–524 (1969)
  19. А.В. Елецкий, Б.М. Смирнов «Фуллерены и структуры углерода» 165 977–1009 (1995)
  20. А.И. Олемской, И.А. Скляр «Эволюция дефектной структуры твердого тела в процессе пластической деформации» 162 (6) 29–79 (1992)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение