Выпуски

 / 

1985

 / 

Январь

  

Обзоры актуальных проблем


Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа AIVBVI

В обзоре изложены результаты экспериментальных и теоретических работ, посвященных обнаружению и исследованию глубоких уровней, связанных с примесями и собственными дефектами в полупроводниках типа AIVBV I. Наиболее детально обсуждаются примеси III группы. Эксперименты (электрофизические, оптические, теплофизические) свидетельствуют о существовании локализованных и резонансных состояний в материалах, легированных индием и таллием, а также (менее однозначно) галлием и алюминием. При легировании индием особенно ярко проявляется стабилизация химического потенциала, приводящая к исключительно высокой электрической однородности образцов, обнаружена долговременная релаксация концентрации неравновесных электронов. Уровень Ферми существенно изменяется с составом материала, температурой, давлением. При легировании таллием обнаружены сильное резонансное рассеяние дырок, электронная примесная теплоемкость и сверхпроводимость, обусловленные наличием резонансных состояний. Сделан обзор теоретических и экспериментальных данных о локализованных и резонансных состояниях, связанных с вакансиями и комплексами собственных дефектов, а также с примесями переходных металлов, висмута, кадмия, олова, германия. Обсуждаются генезис уровней, энергия взаимодействия электронов на примесном центре, механизмы релаксации, сверхпроводимости. Табл. 1, ил. 18, библиогр. ссылок 121 (133 назв.).

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 71.55.−i, 71.20.Nr, 61.72.Ji, 72.20.My, 65.40.Ba (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0145.198501b.0051
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1985/1/b/
Цитата: Кайданов В И, Равич Ю И "Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа AIVBVI" УФН 145 51–86 (1985)
BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
TY JOUR
TI Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа AIVBVI
AU Кайданов, В. И.
AU Равич, Ю. И.
PB Успехи физических наук
PY 1985
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 145
IS 1
SP 51-86
UR https://ufn.ru/ru/articles/1985/1/b/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0145.198501b.0051

English citation: Kaidanov V I, Ravich Yu I “Deep and resonance states in AIV BVI semiconductorsSov. Phys. Usp. 28 31–53 (1985); DOI: 10.1070/PU1985v028n01ABEH003632

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение