RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 9, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

1985

 / 

Январь

←  →

Обзоры актуальных проблем


Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа AIVBVI

,

В обзоре изложены результаты экспериментальных и теоретических работ, посвященных обнаружению и исследованию глубоких уровней, связанных с примесями и собственными дефектами в полупроводниках типа AIVBV I. Наиболее детально обсуждаются примеси III группы. Эксперименты (электрофизические, оптические, теплофизические) свидетельствуют о существовании локализованных и резонансных состояний в материалах, легированных индием и таллием, а также (менее однозначно) галлием и алюминием. При легировании индием особенно ярко проявляется стабилизация химического потенциала, приводящая к исключительно высокой электрической однородности образцов, обнаружена долговременная релаксация концентрации неравновесных электронов. Уровень Ферми существенно изменяется с составом материала, температурой, давлением. При легировании таллием обнаружены сильное резонансное рассеяние дырок, электронная примесная теплоемкость и сверхпроводимость, обусловленные наличием резонансных состояний. Сделан обзор теоретических и экспериментальных данных о локализованных и резонансных состояниях, связанных с вакансиями и комплексами собственных дефектов, а также с примесями переходных металлов, висмута, кадмия, олова, германия. Обсуждаются генезис уровней, энергия взаимодействия электронов на примесном центре, механизмы релаксации, сверхпроводимости. Табл. 1, ил. 18, библиогр. ссылок 121 (133 назв.).

Текст pdf (3,1 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1985v028n01ABEH003632
PACS: 71.55.−i, 71.20.Nr, 61.72.Ji, 72.20.My, 65.40.Ba (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0145.198501b.0051
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1985/1/b/
Цитата: Кайданов В И, Равич Ю И "Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа AIVBVI" УФН 145 51–86 (1985)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Kaidanov V I, Ravich Yu I “Deep and resonance states in AIV BVI semiconductors” Sov. Phys. Usp. 28 31–53 (1985); DOI: 10.1070/PU1985v028n01ABEH003632

Статьи, ссылающиеся на эту (244) ↓ Похожие статьи (20)

  1. Maskaeva L N, Pozdin A V et al Phys. Chem. Chem. Phys. 26 10641 (2024)
  2. Auslender M, Dzundza B et al 14 (8) (2024)
  3. Poklonski N A, Anikeev I I et al Physica Status Solidi (b, 2024)
  4. Misra Sh, Wiendlocha B et al J. Mater. Chem. A 12 1166 (2024)
  5. Багиева Г З, Абдинова Г Дж и др Neorganičeskie materialy 59 1335 (2023)
  6. Akhundova N M, Aliyeva T D Inorg Mater 59 21 (2023)
  7. Kovalyuk V, Sheveleva E et al 134 (19) (2023)
  8. Ахундова Н М, Алиева Т Д Neorganičeskie materialy 59 23 (2023)
  9. Xiao Ya, Yin L et al Applied Thermal Engineering 233 121164 (2023)
  10. Mamykin S, Shneck R Z et al Energies 16 3036 (2023)
  11. Ulanov V A, Zainullin R R et al Izvestiâ Akademii nauk SSSR. Seriâ fizičeskaâ 87 1781 (2023)
  12. Bagiyeva G Z, Abdinova G J et al Inorg Mater 59 1289 (2023)
  13. Dashevsky Z, Mamykin S et al Energies 16 3774 (2023)
  14. Mamykin S, Mamontova I et al J. Solar Eneg. Res. Updat. 9 38 (2022)
  15. Kovalyuk V, Sheveleva E et al Materials 15 8383 (2022)
  16. Zaynullin R R, Housheya T A N et al Russ Phys J 65 267 (2022)
  17. Zyuzin A Yu Jetp Lett. 116 623 (2022)
  18. Denisov D V, Yu M N et al Physica C: Superconductivity and its Applications 597 1354067 (2022)
  19. Misra Sh, Wiendlocha B et al Phys. Rev. B 106 (7) (2022)
  20. Dashevsky Z, Horichok I et al J Am Ceram Soc. 105 4500 (2022)
  21. Dashevsky Z, Jarashneli A et al Energies 15 3960 (2022)
  22. Gradauskas J, Dzundza B et al Sensors 21 1195 (2021)
  23. Ben-Ayoun D, Gelbstein Ya Intermetallics 131 107118 (2021)
  24. Ulanov V A, Zainullin R R et al Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 85 1342 (2021)
  25. Wiendlocha B, Misra Sh et al Mater. Horiz. 8 1735 (2021)
  26. Mostovshchikova E V, Voronin V I et al Journal of Alloys and Compounds 852 156932 (2021)
  27. Yu Y, Wu H, He J Thin Film and Flexible Thermoelectric Generators, Devices and Sensors Chapter 6 (2021) p. 155
  28. Skipetrov E P, Konstantinov N S et al 47 24 (2021)
  29. Ulanov V A, Zainullin R R et al Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 85 1337 (2021)
  30. Candolfi Ch, Oualid S E et al CEAS Space J 13 325 (2021)
  31. Gradauskas J, Dzundza B et al Physica B: Condensed Matter 607 412855 (2021)
  32. Maskaeva L N, Vaganova I V et al J Mater Sci: Mater Electron 32 19230 (2021)
  33. Parashchuk T, Horichok I et al Journal of Alloys and Compounds 860 158355 (2021)
  34. Galeeva A V, Belov D A et al Nanomaterials 11 3207 (2021)
  35. Parashchuk T, Wiendlocha B et al ACS Appl. Mater. Interfaces 13 49027 (2021)
  36. Martin I Annals of Physics 417 168118 (2020)
  37. Misra Sh, Wiendlocha B et al J. Mater. Chem. C 8 977 (2020)
  38. (PROCEEDINGS OF THE XV INTERNATIONAL CONFERENCE «PHYSICS OF DIELECTRICS») Vol. PROCEEDINGS OF THE XV INTERNATIONAL CONFERENCE «PHYSICS OF DIELECTRICS»(PbzSn1-z)1-xInxTe compounds: Superconductor-insulator state transitionNikolayMikhailinSergeiNemovRobertParfenievDmitriShamshur2308 (2020) p. 020006
  39. Ikonnikov A V, Dudin V S et al Semiconductors 54 1086 (2020)
  40. Wojciechowski K T, Parashchuk T et al J. Mater. Chem. C 8 13270 (2020)
  41. Denisov D V, Mikhailin N Yu et al Physica C: Superconductivity and its Applications 579 1353755 (2020)
  42. Vaganova I V, Mostovshchikova E V et al Russ. J. Phys. Chem. 94 2428 (2020)
  43. Parashchuk T, Chernyak L et al Physica Status Solidi (b) 257 (12) (2020)
  44. Maskaeva L N, Mostovshchikova E V et al Semiconductors 54 1230 (2020)
  45. Walmsley P, Abrams D M et al Phys. Rev. B 99 (3) (2019)
  46. Ikonnikov A V, Chernichkin V I et al 45 141 (2019)
  47. Prokofieva L V, Konstantinov P P Semiconductors 53 875 (2019)
  48. Skipetrov E P, Kovalev B B et al Journal of Alloys and Compounds 775 769 (2019)
  49. Ikonnikov A V, Chernichkin V I et al Semiconductors 53 1272 (2019)
  50. Golenishchev-Kutuzov V A, Sinicin A M et al Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 83 665 (2019)
  51. Skipetrov E P, Kovalev B B et al 45 201 (2019)
  52. Parashchuk T, Dashevsky Z, Wojciechowski K 125 (24) (2019)
  53. Rogacheva E, Nashchekina O Advanced Thermoelectric Materials 1 (2019) p. 383
  54. Skipetrov E P, Kovalev B B et al Semiconductors 53 1419 (2019)
  55. Walmsley P, Liu C et al Phys. Rev. B 98 (18) (2018)
  56. Wiendlocha B Phys. Rev. B 97 (20) (2018)
  57. Xiao Yu, Zhao L-D npj Quant Mater 3 (1) (2018)
  58. Razina A G, Kazakov V A et al «Izvestiya vysshikh uchebnykh zavedenii. PROBLEMY ENERGETIKI» 20 129 (2018)
  59. Giraldo-Gallo P, Walmsley P et al Phys. Rev. Lett. 121 (20) (2018)
  60. Zhang Ch, He X-G et al Phys. Rev. B 98 (5) (2018)
  61. Maeda S, Katsube Sh, Zheng Guo-qing J. Phys. Soc. Jpn. 86 024702 (2017)
  62. Andrianov G O, Galperin Yu M et al J. Exp. Theor. Phys. 125 1137 (2017)
  63. Gelbstein Ya Thermoelectric Energy Conversion Advanced Micro and Nanosystems 1 (2017) p. 1
  64. Klimov A E, Epov V S Jetp Lett. 106 446 (2017)
  65. Zhong R, Schneeloch J et al Crystals 7 55 (2017)
  66. Skipetrov E P, Kruleveckaya O V et al 121 (4) (2017)
  67. Yasuda A, Takahashi Ya et al Journal of Crystal Growth 470 37 (2017)
  68. Wiendlocha B, Kutorasinski K et al Scripta Materialia 111 33 (2016)
  69. Tan G, Kanatzidis M G Materials Aspect of Thermoelectricity (2016) p. 125
  70. Giraldo-Gallo P, Sangiorgio B et al Phys. Rev. B 94 (19) (2016)
  71. Zhou M, Gibbs Z M et al 109 (4) (2016)
  72. Parfeniev R V, Kozub V I et al 41 112 (2015)
  73. Ibrahim E M M, Hakeem A M A et al Phys. Scr. 90 045802 (2015)
  74. Skipetrov E P, Kruleveckaya O V et al 118 (19) (2015)
  75. Men’shikova S I Funct.Mater. 22 14 (2015)
  76. Wiendlocha B 105 (13) (2014)
  77. Ryabova L I, Khokhlov D R Успехи физических наук 184 1033 (2014) [Ryabova L I, Khokhlov D R Phys.-Usp. 57 959 (2014)]
  78. Skipetrov E P, Skipetrova L A et al 115 (13) (2014)
  79. Skipetrov E P, Kruleveckaya O V et al 105 (2) (2014)
  80. Skipetrov E P, Pichugin N A et al Semiconductors 47 729 (2013)
  81. Zhang Q, Yang S et al Nanotechnology 24 345705 (2013)
  82. Bauer P P, Sergueev I et al Physica Status Solidi (b) 250 1300 (2013)
  83. Gibbs Z M, LaLonde A, Snyder G Je New J. Phys. 15 075020 (2013)
  84. Wiendlocha B Phys. Rev. B 88 (20) (2013)
  85. Pei Ya, LaLonde A D et al Energy Environ. Sci. 5 7963 (2012)
  86. Kwang-Hua Ch W Chemical Physics 409 37 (2012)
  87. Zhang Q, Wang H et al Nano Lett. 12 2324 (2012)
  88. Tahar M Z, Popov D I, Nemov S A J. Phys.: Conf. Ser. 400 042056 (2012)
  89. Heremans J P, Wiendlocha B, Chamoire A M Energy Environ. Sci. 5 5510 (2012)
  90. Pei Ya, Wang H et al NPG Asia Mater 4 e28 (2012)
  91. Androulakis J, Todorov I et al J. Am. Chem. Soc. 133 10920 (2011)
  92. Pishtshev A Physica B: Condensed Matter 406 2999 (2011)
  93. Klimov A E, Shumsky V N Optoelectron.Instrument.Proc. 47 442 (2011)
  94. Nemov S A, Ravich Yu I et al Phys. Solid State 53 936 (2011)
  95. Nemov S A, Ravich Yu I, Korchagin V A Semiconductors 45 724 (2011)
  96. Erwin S C Phys. Rev. B 81 (23) (2010)
  97. Androulakis J, Todorov I et al Phys. Rev. B 82 (11) (2010)
  98. Shamshur D V, Parfen’ev R V et al Phys. Solid State 52 1815 (2010)
  99. Sun Y H, Lin T et al 108 (4) (2010)
  100. Erickson A S, Breznay N P et al Phys. Rev. B 81 (13) (2010)
  101. Kashirina N I, Lakhno V D Uspekhi Fizicheskikh Nauk 180 449 (2010)
  102. Akhmedova G A, Abdinov D Sh Inorg Mater 45 854 (2009)
  103. Nemov S A, Proshin V I et al Phys. Solid State 51 491 (2009)
  104. Skipetrov E P, Mikheev M G et al Semiconductors 43 297 (2009)
  105. Romčević N, Stojanović D et al Journal of Alloys and Compounds 474 26 (2009)
  106. Hiraishi K, Masuhara A et al jjap 48 071501 (2009)
  107. Mustafayev N B, Bagiyeva G Z et al Semiconductors 43 139 (2009)
  108. Ahmedova G A, Bagiyeva G Z et al Semiconductors 43 1416 (2009)
  109. Nakayama K, Sato T et al Phys. Rev. Lett. 100 (22) (2008)
  110. Jovovic V, Thiagarajan S J et al 103 (5) (2008)
  111. Romčević N, Stojanović D et al Journal of Alloys and Compounds 460 13 (2008)
  112. Shamshur D V, Nemov S A et al Phys. Solid State 50 2028 (2008)
  113. Zasavitsky E A, Kantser V G 2008 International Semiconductor Conference, (2008) p. 253
  114. Aleshkin V Ya, Gavrilenko L V et al Semiconductors 42 880 (2008)
  115. Prokof’eva L V, Shabaldin A A et al Semiconductors 42 1161 (2008)
  116. Jovovic V, Thiagarajan S J et al MRS Proc. 1044 (2007)
  117. Laiho R, Nemov S A et al Semiconductors 41 546 (2007)
  118. Almaggoussi A, Abounadi A et al Physica Status Solidi (a) 204 3496 (2007)
  119. Skipetrov E P, Golubev A V, Slyn’ko V E Semiconductors 41 145 (2007)
  120. Skipetrov E P, Pakpur F A et al Semiconductors 41 1035 (2007)
  121. Geballe T H J Supercond 19 261 (2007)
  122. Skipetrov E, Golubev A et al Physica Status Solidi (b) 244 448 (2007)
  123. Gelbstein Y, Dashevsky Z, Dariel M P Physica B: Condensed Matter 396 16 (2007)
  124. Kozhanov A E, Nikorich A V et al Semiconductors 40 1021 (2006)
  125. Kozub V I, Parfen’ev R V et al Jetp Lett. 84 35 (2006)
  126. Gelbstein Y, Dashevsky Z et al 2006 25th International Conference on Thermoelectrics, (2006) p. 79
  127. Klimov A E, Nadolinnyi V A et al Russ Microelectron 35 277 (2006)
  128. Rogacheva E I, Lyubchenko S G et al 2006 25th International Conference on Thermoelectrics, (2006) p. 656
  129. Shamshur D V, Shakura D V et al NATO Science Series Vol. Nanoscale Devices - Fundamentals and ApplicationsSuperconductor-Insulator Transition in a PbZSn1-ZTe:In Solid Solution233 Chapter 18 (2006) p. 277
  130. Skipetrov E P, Zvereva E A et al Semiconductors 40 893 (2006)
  131. Ahmad S, Mahanti S D et al Phys. Rev. B 74 (15) (2006)
  132. Skipetrov E P, Golubev A et al MRS Proc. 929 (2006)
  133. Matsushita Y, Wianecki P A et al Phys. Rev. B 74 (13) (2006)
  134. Weis A N Russ Phys J 48 723 (2005)
  135. Vol. CAS 2005 Proceedings. 2005 International Semiconductor Conference, 2005.Thermoelectric power of p-doped pbte semiconductor microwires with resonant states of tallium impuritiesE.A.ZasavitskyV.G.KantserD.F.Meglei2 (2005) p. 281
  136. Rogacheva E I Journal of Physics and Chemistry of Solids 66 2104 (2005)
  137. Skipetrov E P, Zvereva E A et al Eur. Phys. J. Appl. Phys. 29 23 (2005)
  138. Matsushita Y, Bluhm H et al Phys. Rev. Lett. 94 (15) (2005)
  139. Brudnyı̆ V N Semiconductors 39 385 (2005)
  140. Kuznetsov V Thermoelectrics Handbook (2005) p. 38-1
  141. Skipetrov E, Zvereva E et al Physica Status Solidi (b) 241 120 (2004)
  142. Skipetrov E P, Zvereva E A et al J. Phys.: Condens. Matter 16 S235 (2004)
  143. Popov D I, Tahar M Z, Nemov S A Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 20 458 (2004)
  144. Gasparyan F V, Aroutiounian V M et al Sensors and Actuators A: Physical 113 370 (2004)
  145. Skipetrov E, Zvereva E et al Physica Status Solidi (b) 241 1100 (2004)
  146. Popov D I, Tahar M Z, Nemov S A Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 20 453 (2004)
  147. Veis A N, Nashchekin A V Semiconductors 37 380 (2003)
  148. Adam A, Wahab L A, Sedeek K Materials Chemistry and Physics 79 15 (2003)
  149. Ermolaev A M, Rashba G I 29 945 (2003)
  150. Tahar M Z, Popov D I, Nemov S Physica C: Superconductivity 388-389 581 (2003)
  151. Rogacheva E I, Nashchekina O N, Dresselhalis M S Proceedings ICT'03. 22nd International Conference on Thermoelectrics (IEEE Cat. No.03TH8726), (2003) p. 263
  152. Radulović K T, Nikolić P M et al 74 595 (2003)
  153. Skipetrov E P, Chernova N A et al Materials Science and Engineering: B 91-92 412 (2002)
  154. Dashevsky Z, Shusterman S et al 92 1425 (2002)
  155. Almaggoussi A, Abounadi A et al phys. stat. sol. (a) 191 217 (2002)
  156. Ravich Yu I, Nemov S A Semiconductors 36 1 (2002)
  157. Kishimoto K, Tsukamoto M, Koyanagi T 92 5331 (2002)
  158. Skipetrov E P, Zvereva E A et al Semiconductors 36 34 (2002)
  159. Volkov B A, Ryabova L I, Khokhlov D R Uspekhi Fizicheskikh Nauk 172 875 (2002)
  160. Veis A N Semiconductors 36 176 (2002)
  161. Parfen’ev R V, Shamshur D V, Nemov S A Phys. Solid State 43 1845 (2001)
  162. Ravich Yu I, Nemov S A Semiconductors 35 158 (2001)
  163. Geballe T H Philosophical Magazine B 81 819 (2001)
  164. Skipetrov E, Zvereva E et al Physica B: Condensed Matter 302-303 393 (2001)
  165. Geballe T H, Moyzhes B Y 27 777 (2001)
  166. Skipetrov E P, Chernova N A et al Semiconductors 35 1249 (2001)
  167. Dashevsky Z Semicond. Phys. Quantum Electron. Optoelectron. 3 181 (2000)
  168. Dolzhenko D E, Demin V N et al Semiconductors 34 1144 (2000)
  169. Romcevic M, Romcevic N et al J. Phys.: Condens. Matter 12 8737 (2000)
  170. Shvangiradze P P, Sabo E P Inorg Mater 36 1104 (2000)
  171. Nemov S A, Musikhin S F et al Phys. Solid State 42 638 (2000)
  172. Onopko D E, Ryskin A I J Struct Chem 41 666 (2000)
  173. Nemov S A, Gasumyants V É et al Semiconductors 34 889 (2000)
  174. Onopko D E, Ryskin A I Semiconductors 34 264 (2000)
  175. Skipetrov E P, Chernova N A, Slyn’ko E I Journal of Crystal Growth 210 288 (2000)
  176. Geballe T H, Moyzhes B Y, Dicktnson P H MRS Proc. 574 (1999)
  177. Parfen’ev R V, Shamshur D V, Nemov S A Phys. Solid State 41 1956 (1999)
  178. Romčević N, Romčević M et al High-Temperature Superconductors and Novel Inorganic Materials Chapter 50 (1999) p. 297
  179. Skipetrov E P, Chernova N A et al MRS Proc. 607 (1999)
  180. Abarbanel C, Shneck R et al MRS Proc. 607 (1999)
  181. Dmitriev A V, Makeev V V MRS Proc. 579 (1999)
  182. Skipetrov E P, Chernova N A et al Phys. Rev. B 59 12928 (1999)
  183. Romčević N, Romčević M et al Infrared Physics & Technology 40 453 (1999)
  184. Nasredinov F S, Nemov S A et al Phys. Solid State 41 1741 (1999)
  185. Papazian K Z, Vardanian R A Philosophical Magazine B 79 541 (1999)
  186. Moshnikov V A, Moshnikov A V et al Phys. Solid State 41 550 (1999)
  187. Zhitinskaya M K, Nemov S A, Ravich Yu I Phys. Solid State 40 1098 (1998)
  188. Nemov S A, Ravich Yu I et al Semiconductors 32 280 (1998)
  189. Nemov S A, Proshin V I, Nakhmanson S M Semiconductors 32 1062 (1998)
  190. Vedeneev V P, Krivoruchko S P, Sabo E P Semiconductors 32 241 (1998)
  191. Vasil’ev A N, Voloshok T N et al J. Exp. Theor. Phys. 87 1009 (1998)
  192. Veis A N, Nemov S A Semiconductors 32 937 (1998)
  193. Zhitinskaya M K, Nemov S A, Svechnikova T E Phys. Solid State 40 1297 (1998)
  194. Poklonskii N A, Lopatin S Yu Phys. Solid State 40 1636 (1998)
  195. Klinger M I, Taraskin S N Phys. Rev. B 57 12898 (1998)
  196. Dashevsky Z, Shusterman S et al MRS Proc. 545 (1998)
  197. Abrahamian Yu A, Karamian G G et al Int J Infrared Milli Waves 18 2315 (1997)
  198. Zhitinskaya M K, Nemov S A, Svechnikova T E XVI ICT '97. Proceedings ICT'97. 16th International Conference on Thermoelectrics (Cat. No.97TH8291), (1997) p. 72
  199. Grekov Yu B, Shlyakhov T A, Semikolenova N A Semiconductors 31 844 (1997)
  200. Parfeniev R, Shamshur D et al Centrifugal Materials Processing Chapter 9 (1997) p. 109
  201. Zhitinskaya M K, Nemov S A, Svechnikova T E Semiconductors 31 375 (1997)
  202. Tetyorkin V V, Sipatov A Yu et al Infrared Physics & Technology 37 379 (1996)
  203. Murakami H, Hattori W et al Czech J Phys 46 765 (1996)
  204. Murakami H, Hattori W, Aoki R Physica C: Superconductivity 269 83 (1996)
  205. Murakami H, Hattori W et al Physica C: Superconductivity 273 41 (1996)
  206. Dahan P, Fleurov V Phys. Rev. B 53 12845 (1996)
  207. Moyzhes B Fifteenth International Conference on Thermoelectrics. Proceedings ICT '96, (1996) p. 183
  208. Belokopytov G V Ferroelectrics 168 69 (1995)
  209. Ravich Y CRC Handbook of Thermoelectrics (1995)
  210. Nemov S A, Parfeniev R V et al Journal of Alloys and Compounds 219 310 (1995)
  211. Klinger M I, Taraskin S N Phys. Rev. B 52 2557 (1995)
  212. Akimov B A, Gaskov A M et al Phys. Stat. Sol. (a) 142 85 (1994)
  213. Pecheur P, Toussaint G Journal of Physics and Chemistry of Solids 55 327 (1994)
  214. McCann P J, Aanegola S K, Furneaux J E 65 2185 (1994)
  215. Akimov B A, Dmitriev A V et al Phys. Stat. Sol. (a) 137 9 (1993)
  216. Malloy K J, Khachaturyan K Semiconductors and Semimetals Vol. Imperfections in III/V MaterialsChapter 6 DX and Related Defects in Semiconductors38 (1993) p. 235
  217. Akimov B A, Ryabova L I, Slynko E I MRS Proc. 308 (1993)
  218. Darchuk S D, Sizov F F, Korovina L A Infrared Physics 34 655 (1993)
  219. Khokhlov D B, Ivanchik I I et al Semicond. Sci. Technol. 8 S352 (1993)
  220. Abrahamian Yu A, Gavrilenko V I et al Int J Infrared Milli Waves 14 1667 (1993)
  221. Khokhlov D R, Ivanchik I I et al Solid State Communications 82 759 (1992)
  222. Khokhlov D R, de Visser A et al Physica B: Condensed Matter 177 491 (1992)
  223. Vinogradov V S Solid State Communications 83 217 (1992)
  224. Plyatsko S V, Gromovoj Yu S et al Thin Solid Films 221 127 (1992)
  225. Zayachuk D M, Mikityuk V I, Starik P M Materials Science and Engineering: B 14 241 (1992)
  226. Kornblit L, Moizhes B Ya Physica C: Superconductivity 176 295 (1991)
  227. Bushmarina G S, Drabkin I A et al Physica B: Condensed Matter 169 687 (1991)
  228. Gromovoj Yu S, Plyatsko S V et al J. Phys.: Condens. Matter 2 10391 (1990)
  229. Germanova K, Donchev V et al Appl. Phys. A 50 369 (1990)
  230. Darchuk S D, Panin G N et al Journal of Physics and Chemistry of Solids 51 1333 (1990)
  231. Gavrichkov V A, Gavrichkov S A Physics Letters A 145 353 (1990)
  232. Dmitriev A V Solid State Communications 74 237 (1990)
  233. Gromovoj Y S, Plyatsko S V et al J. Phys.: Condens. Matter 1 6625 (1989)
  234. Germanova K, Donchev V et al Phys. Stat. Sol. (a) 113 K231 (1989)
  235. Dmitriev A I, Lashkarev G V Physica Status Solidi (b) 151 633 (1989)
  236. Vakhabov D A, Zakirov A S et al Journal of Engineering Physics 55 1304 (1988)
  237. Rogalski A, Piotrowski J Progress in Quantum Electronics 12 87 (1988)
  238. Lent C S, Bowen M A et al Solid State Communications 61 83 (1987)
  239. Shelankov A L Solid State Communications 62 327 (1987)
  240. Sizov F F, Plyatsko S V, Darchuk S D Infrared Physics 27 249 (1987)
  241. Baleva M I, Maksimov M H, Sendova M S J. Phys. C: Solid State Phys. 20 941 (1987)
  242. Ermolaev A M Soviet Physics Journal 30 274 (1987)
  243. Kraak W, Sschaller U, Herrmann R Physica Status Solidi (b) 134 779 (1986)
  244. Andronik K I, Banar V F et al Physica Status Solidi (b) 133 (1) (1986)
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение