RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 10, 2026
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2026

 / 

июнь

←  →

Обзоры актуальных проблем


Инфракрасная фотопроводимость кремния, легированного халькогенами

†  а,  а,  а, б,  а
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
б Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского ФИЦ Казанский научный центр РАН, Сибирский тракт 10/7, Казань, 420029, Российская Федерация

Сверхлегирование — введение примесей в полупроводники с концентрациями, превышающими равновесную растворимость на порядки величины (∼ 1020 см−3), — открывает путь к формированию примесных зон в запрещённой зоне кремния. Внедрение халькогенов (S, Se, Te) позволяет достичь высоких значений коэффициента поглощения (102—104 см−1) в инфракрасном диапазоне (1—6 мкм) за счёт переходов "примесь—зона". Обзор охватывает механизмы формирования примесных состояний, методы синтеза (ионная имплантация, лазерная обработка), а также структурные, электрические и оптические свойства. Особый фокус — на применении в инфракрасных фотоприёмниках, работающих при комнатной температуре, и решении проблем нестабильности (сегрегация, дефекты) через оптимизацию отжига, селективное легирование и гетероструктуры.

Текст pdf (378 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.2025.12.040077
Адрес для корреспонденции:
Ключевые слова: кремний, халькогены, легирование, ионная имплантация, импульсный лазерный отжиг, плавление, кристаллизация, глубокие уровни, примесная зона, фотоприёмник
PACS: 71.55.−i
DOI: 10.3367/UFNr.2025.12.040077
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2026/6/c/
Цитата: Ковалев М С, Подлесных И М, Баталов Р И, Кудряшов С И "Инфракрасная фотопроводимость кремния, легированного халькогенами" УФН 196 601–614 (2026)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

поступила: 16 сентября 2025, доработана: 16 декабря 2025, 17 декабря 2025

English citation: Kovalev M S, Podlesnykh I M, Batalov R I, Kudryashov S I “Infrared photoconductivity of chalcogen-doped silicon” Phys. Usp. 69 563–574 (2026); DOI: 10.3367/UFNe.2025.12.040077

Список литературы (78) Похожие статьи (20) ↓

  1. К.В. Рейх «Электропроводность массива квантовых точек» УФН 190 1062–1084 (2020)
  2. Б.А. Волков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов «Примеси с переменной валентностью в твердых растворах на основе теллурида свинца» УФН 172 875–906 (2002)
  3. В.И. Кайданов, Ю.И. Равич «Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа AIVBVI» УФН 145 51–86 (1985)
  4. Д.С. Смирнов, В.Н. Манцевич, М.М. Глазов «Теория оптически детектируемых спиновых флуктуаций в наносистемах» УФН 191 973–998 (2021)
  5. Б.Н. Мукашев, Х.А. Абдуллин, Ю.В. Горелкинский «Метастабильные и бистабильные дефекты в кремнии» УФН 170 143–155 (2000)
  6. А.Р. Челядинский, Ф.Ф. Комаров «Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии» УФН 173 813–846 (2003)
  7. Ю.А. Изюмов «Спин-флуктуационный механизм высокотемпературной сверхпроводимости и симметрия параметра порядка» УФН 169 225–254 (1999)
  8. А.Л. Ивановский «Магнитные эффекты в немагнитных sp-материалах, индуцированные sp-примесями и дефектами» УФН 177 1083 (2007)
  9. С.А. Немов, Ю.И. Равич «Примесь таллия в халькогенидах свинца: методы исследования и особенности» УФН 168 817–842 (1998)
  10. М.Ф. Дейген, М.Д. Глинчук «Параэлектрический резонанс нецентральных ионов» УФН 114 185–211 (1974)
  11. И.М. Цидильковский «Бесщелевые полупроводники с магнитными примесями, образующими резонансные донорные состояния» УФН 162 (2) 63–105 (1992)
  12. Л.А. Головань, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров «Оптические свойства нанокомпозитов на основе пористых систем» УФН 177 619–638 (2007)
  13. А.И. Олемской «Самосогласованная теория локализации в узельном и волновом представлениях» УФН 166 697–715 (1996)
  14. Я.С. Ляхова, Г.В. Астрецов, А.Н. Рубцов «Концепция среднего поля и методы пост-DMFT в современной теории коррелированных систем» УФН 193 825–844 (2023)
  15. С.В. Дмитриев, Е.А. Корзникова и др. «Дискретные бризеры в кристаллах» УФН 186 471–488 (2016)
  16. Г.Н. Макаров «Применение лазеров в нанотехнологии: получение наночастиц и наноструктур методами лазерной абляции и лазерной нанолитографии» УФН 183 673–718 (2013)
  17. Э.З. Кучинский, И.А. Некрасов, М.В. Садовский «Обобщённая теория динамического среднего поля в физике сильнокоррелированных систем» УФН 182 345–378 (2012)
  18. Ч.Б. Лущик, И.К. Витол, М.А. Эланго «Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах» УФН 122 223–251 (1977)
  19. В.И. Кляцкин «Интегральные характеристики — ключ к пониманию структурообразования в стохастических динамических системах» УФН 181 457–482 (2011)
  20. В.В. Егоров, М.В. Алфимов «Теория J-полосы: от экситона Френкеля к переносу заряда» УФН 177 1033–1081 (2007)

Список формируется автоматически.
© Успехи физических наук, 1918–2026
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение