Инфракрасная фотопроводимость кремния, легированного халькогенами

М.С. Ковалев^†^а, И.М. Подлесных^а, Р.И. Баталов^а, б, С.И. Кудряшов^а
^аФизический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
^бКазанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского ФИЦ Казанский научный центр РАН, Сибирский тракт 10/7, Казань, 420029, Российская Федерация

Сверхлегирование — введение примесей в полупроводники с концентрациями, превышающими равновесную растворимость на порядки величины (∼ 10²⁰ см⁻³), — открывает путь к формированию примесных зон в запрещённой зоне кремния. Внедрение халькогенов (S, Se, Te) позволяет достичь высоких значений коэффициента поглощения (10²—10⁴ см⁻¹) в инфракрасном диапазоне (1—6 мкм) за счёт переходов "примесь—зона". Обзор охватывает механизмы формирования примесных состояний, методы синтеза (ионная имплантация, лазерная обработка), а также структурные, электрические и оптические свойства. Особый фокус — на применении в инфракрасных фотоприёмниках, работающих при комнатной температуре, и решении проблем нестабильности (сегрегация, дефекты) через оптимизацию отжига, селективное легирование и гетероструктуры.

Текст pdf (378 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

Ключевые слова: кремний, халькогены, легирование, ионная имплантация, импульсный лазерный отжиг, плавление, кристаллизация, глубокие уровни, примесная зона, фотоприёмник
PACS: 71.55.−i
DOI: 10.3367/UFNr.2025.12.040077
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2026/6/c/
Цитата: Ковалев М С, Подлесных И М, Баталов Р И, Кудряшов С И "Инфракрасная фотопроводимость кремния, легированного халькогенами" УФН 196 601–614 (2026)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline

RefWorks

Русский

English

RT Journal
T1 Инфракрасная фотопроводимость кремния, легированного халькогенами
A1 Ковалев,М.С.
A1 Подлесных,И.М.
A1 Баталов,Р.И.
A1 Кудряшов,С.И.
PB Успехи физических наук
PY 2026
FD 10 Jun, 2026
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 196
IS 6
SP 601-614
DO 10.3367/UFNr.2025.12.040077
LK https://ufn.ru/ru/articles/2026/6/c/

Поступила: 16 сентября 2025, доработана: 16 декабря 2025, одобрена в печать: 17 декабря 2025

English citation: Kovalev M S, Podlesnykh I M, Batalov R I, Kudryashov S I “Infrared photoconductivity of chalcogen-doped silicon” Phys. Usp. 69 (6) (2026); DOI: 10.3367/UFNe.2025.12.040077