Требования к миниатюризации, увеличению быстродействия и энергоэффективности электронных устройств привели к зарождению и бурному развитию спиновой электроники, или спинтроники. Рассмотрено несколько актуальных направлений экспериментальных и теоретических исследований, в которых активно участвует Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (ФТИ). Обсуждается достигнутый к настоящему времени прогресс в создании полупроводниковых и гибридных структур, проявляющих заданные магнитные свойства, в разработке методов манипуляции одиночными спинами, теоретическом описании переключения намагниченности металлических гетероструктур электрическим полем, а также в сверхбыстром управлении намагниченностью посредством воздействия на магнитную анизотропию фемтосекундными лазерными импульсами.
Ключевые слова: спиновая поляризация, спиновый транспорт, ферромагнитный эффект близости, оптически детектируемый магнитный резонанс, лазерно-индуцированная сверхбыстрая динамика намагниченности, одиночные спины, спин-ориентационные переходы, магнитная анизотропия, разбавленные магнитные полупроводники, ферромагнетики, ферримагнетики PACS:75.30.Kz, 75.50.Bb, 75.50.Gg, 75.76.+j, 75.78.Jp, 76.70.Hb, 78.30.Fs, 78.55.Et, 85.75.−d (все) DOI:10.3367/UFNr.2018.11.038486 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2019/8/d/ 000504891900003 2-s2.0-85074389818 2019PhyU...62..795B Цитата: Баранов П Г, Калашникова А М, Козуб В И, Коренев В Л, Кусраев Ю Г, Писарев Р В, Сапега В Ф, Акимов И А, Байер М, Щербаков А В, Яковлев Д Р "Спинтроника полупроводниковых, металлических, диэлектрических и гибридных структур (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)" УФН189 849–880 (2019)