Требования к миниатюризации, увеличению быстродействия и энергоэффективности электронных устройств привели к зарождению и бурному развитию спиновой электроники, или спинтроники. Рассмотрено несколько актуальных направлений экспериментальных и теоретических исследований, в которых активно участвует Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (ФТИ). Обсуждается достигнутый к настоящему времени прогресс в создании полупроводниковых и гибридных структур, проявляющих заданные магнитные свойства, в разработке методов манипуляции одиночными спинами, теоретическом описании переключения намагниченности металлических гетероструктур электрическим полем, а также в сверхбыстром управлении намагниченностью посредством воздействия на магнитную анизотропию фемтосекундными лазерными импульсами.

Ключевые слова: спиновая поляризация, спиновый транспорт, ферромагнитный эффект близости, оптически детектируемый магнитный резонанс, лазерно-индуцированная сверхбыстрая динамика намагниченности, одиночные спины, спин-ориентационные переходы, магнитная анизотропия, разбавленные магнитные полупроводники, ферромагнетики, ферримагнетики PACS: 75.30.Kz, 75.50.Bb, 75.50.Gg, 75.76.+j, 75.78.Jp, 76.70.Hb, 78.30.Fs, 78.55.Et, 85.75.−d (все) DOI: 10.3367/UFNr.2018.11.038486 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2019/8/d/ 000504891900003 2-s2.0-85074389818 2019PhyU...62..795B Цитата: Баранов П Г, Калашникова А М, Козуб В И, Коренев В Л, Кусраев Ю Г, Писарев Р В, Сапега В Ф, Акимов И А, Байер М, Щербаков А В, Яковлев Д Р "Спинтроника полупроводниковых, металлических, диэлектрических и гибридных структур (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)" УФН 189 849–880 (2019) BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks Русский English TY JOUR TI Спинтроника полупроводниковых, металлических, диэлектрических и гибридных структур (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН) AU Баранов, П. Г. AU Калашникова, А. М. AU Козуб, В. И. AU Коренев, В. Л. AU Кусраев, Ю. Г. AU Писарев, Р. В. AU Сапега, В. Ф. AU Акимов, И. А. AU Байер, М. AU Щербаков, А. В. AU Яковлев, Д. Р. PB Успехи физических наук PY 2019 JO Успехи физических наук JF Успехи физических наук JA Усп. физ. наук VL 189 IS 8 SP 849-880 UR https://ufn.ru/ru/articles/2019/8/d/ ER https://doi.org/10.3367/UFNr.2018.11.038486 Поступила: 7 сентября 2018, доработана: 19 сентября 2018, одобрена в печать: 22 ноября 2018 English citation: Baranov P G, Kalashnikova A M, Kozub V I, Korenev V L, Kusrayev Yu G, Pisarev R V, Sapega V F, Akimov I A, Bayer M, Scherbakov A V, Yakovlev D R “Spintronics of semiconductor, metallic, dielectric, and hybrid structures (100th anniversary of the Ioffe Institute)” Phys. Usp. 62 795–822 (2019); DOI: 10.3367/UFNe.2018.11.038486