Выпуски

 / 

2011

 / 

Октябрь

  

Обзоры актуальных проблем


Описание квантового электронного транспорта с помощью матриц рассеяния

 а,  б
а Институт теоретической физики им. Л.Д. Ландау РАН, ул. Косыгина 2, Москва, 119334, Российская Федерация
б Rutgers, The State University of New Jersey, 542 George Street, New Brunswick, NJ, 08901, USA

Подробно рассматривается применение матриц рассеяния в теории квантового электронного транспорта в мезо- и нанопроводниках. Описываемый подход альтернативен более привычному подходу с использованием кинетического уравнения или функций Грина и для когерентных проводников часто более эффективен (особенно для доказательства общих соотношений) и почти всегда более нагляден. Приведено описание как средних по времени величин (типа вольт-амперных характеристик проводников), так и флуктуаций тока во времени — шума, а также полной статистики переноса заряда за конечное время. Кроме нормальных проводников рассмотрены контакты со сверхпроводниками, а также джозефсоновские контакты.

Текст: pdf (1,1 Мб)
Ключевые слова: мезоскопика, матрица рассеяния, квантовый контакт, электронный транспорт
PACS: 72.10.−d, 73.23.−b, 73.50.Td, 74.25.F−, 74.45.+c, 74.78.Na (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0181.201110b.1041
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2011/10/b/
Цитата: Лесовик Г Б, Садовский И А "Описание квантового электронного транспорта с помощью матриц рассеяния" УФН 181 1041–1096 (2011)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 12 декабря 2010, 22 декабря 2010

English citation: Lesovik G B, Sadovskyy I A “Scattering matrix approach to the description of quantum electron transportPhys. Usp. 54 1007–1059 (2011); DOI: 10.3367/UFNe.0181.201110b.1041

© Успехи физических наук, 1918–2017
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение