Выпуски

 / 

2019

 / 

Август

  

Обзоры актуальных проблем


Спинтроника полупроводниковых, металлических, диэлектрических и гибридных структур (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)

 а,  а,  а,  а,  а,  а,  а,  б, а,  б, а,  б, а,  б, а
а Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация
б Experimentelle Physik II, Universität Dortmund, Otto-Hahn-Straße 4, Dortmund, D-44227, Germany

Требования к миниатюризации, увеличению быстродействия и энергоэффективности электронных устройств привели к зарождению и бурному развитию спиновой электроники, или спинтроники. Рассмотрено несколько актуальных направлений экспериментальных и теоретических исследований, в которых активно участвует Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (ФТИ). Обсуждается достигнутый к настоящему времени прогресс в создании полупроводниковых и гибридных структур, проявляющих заданные магнитные свойства, в разработке методов манипуляции одиночными спинами, теоретическом описании переключения намагниченности металлических гетероструктур электрическим полем, а также в сверхбыстром управлении намагниченностью посредством воздействия на магнитную анизотропию фемтосекундными лазерными импульсами.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
Ключевые слова: спиновая поляризация, спиновый транспорт, ферромагнитный эффект близости, оптически детектируемый магнитный резонанс, лазерно-индуцированная сверхбыстрая динамика намагниченности, одиночные спины, спин-ориентационные переходы, магнитная анизотропия, разбавленные магнитные полупроводники, ферромагнетики, ферримагнетики
PACS: 75.30.Kz, 75.50.Bb, 75.50.Gg, 75.76.+j, 75.78.Jp, 76.70.Hb, 78.30.Fs, 78.55.Et, 85.75.−d (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2018.11.038486
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2019/8/d/
Цитата: Баранов П Г, Калашникова А М, Козуб В И, Коренев В Л, Кусраев Ю Г, Писарев Р В, Сапега В Ф, Акимов И А, Байер М, Щербаков А В, Яковлев Д Р "Спинтроника полупроводниковых, металлических, диэлектрических и гибридных структур (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)" УФН 189 849–880 (2019)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
@article{Baranov:2019,
	author = {П. Г. Баранов and А. М. Калашникова and В. И. Козуб and В. Л. Коренев and Ю. Г. Кусраев and Р. В. Писарев and В. Ф. Сапега and И. А. Акимов and М. Байер and А. В. Щербаков and Д. Р. Яковлев},
	title = {Спинтроника полупроводниковых, металлических, диэлектрических и гибридных структур (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)},
	publisher = {Успехи физических наук},
	year = {2019},
	journal = {Усп. физ. наук},
	volume = {189},
	number = {8},
	pages = {849-880},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/2019/8/d/},
	doi = {10.3367/UFNr.2018.11.038486}
}

Поступила: 7 сентября 2018, доработана: 19 сентября 2018, 22 ноября 2018

English citation: Baranov P G, Kalashnikova A M, Kozub V I, Korenev V L, Kusrayev Yu G, Pisarev R V, Sapega V F, Akimov I A, Bayer M, Scherbakov A V, Yakovlev D R “Spintronics of semiconductor, metallic, dielectric, and hybrid structures (100th anniversary of the Ioffe Institute)Phys. Usp. 62 795–822 (2019); DOI: 10.3367/UFNe.2018.11.038486

© Успехи физических наук, 1918–2022
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение