Выпуски

 / 

2017

 / 

Сентябрь

  

Обзоры актуальных проблем


Горячие электроны в оксиде кремния

 а, б, в
а Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, просп. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
б Новосибирский государственный университет, Академгородок, ул. Пирогова 2, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
в Новосибирский государственный технический университет, просп. Карла Маркса 20, Новосибирск, 630092, Российская Федерация

Аморфный оксид кремния SiO2 является ключевым диэлектриком в технологии и конструкции кремниевых приборов. Оксид кремния используется, в частности, в качестве туннельного диэлектрика в приборах флэш-памяти. Пробивное поле SiO2 превышает 107 В/см. В сильных электрических полях в SiO2 разыгрываются явления, которые не наблюдаются в кристаллических полупроводниках. В относительно слабых электрических полях (104 — 106 В/см) функция распределения электронов определяется рассеянием электронов на продольных оптических фононах. В полях >106 В/cм функция распределения определяется рассеянием электронов на акустических фононах.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
Ключевые слова: оксид кремния, горячие электроны, рассеяние, оптические фононы
PACS: 72.20.Ht, 72.20.Jv, 72.80.Sk, 73.40.Sx (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2016.12.038008
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2017/9/c/
Цитата: Гриценко В А "Горячие электроны в оксиде кремния" УФН 187 971–979 (2017)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 2 сентября 2016, доработана: 7 декабря 2016, 8 декабря 2016

English citation: Gritsenko V A “Hot electrons in silicon oxidePhys. Usp. 60 902–910 (2017); DOI: 10.3367/UFNe.2016.12.038008

Список литературы (44) Статьи, ссылающиеся на эту (1) Похожие статьи (20) ↓

  1. В.А. Гриценко «Структура границ раздела кремний/оксид и нитрид/оксид» 179 921–930 (2009)
  2. Т.В. Перевалов, В.А. Гриценко «Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью» 180 587–603 (2010)
  3. В.А. Гриценко «Атомная структура аморфных нестехиометрических оксидов и нитридов кремния» 178 727–737 (2008)
  4. Ф.Ф. Комаров «Нано- и микроструктурирование твёрдых тел быстрыми тяжёлыми ионами» 187 465–504 (2017)
  5. А.М. Злобин, П.С. Зырянов «Горячие электроны полупроводников в квантующем магнитном поле» 104 353–377 (1971)
  6. Б.Х. Байрамов, В.А. Войтенко, И.П. Ипатова «Рассеяние света флуктуациями электронной плотности в многодолинных полупроводниках и металлах» 163 (5) 67–114 (1993)
  7. Б.П. Захарченя, Д.Н. Мирлин и др. «Спектр и поляризация фотолюминесценции горячих электронов в полупроводниках» 136 459–499 (1982)
  8. А.Ф. Волков, Ш.М. Коган «Физические явления в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью» 96 633–672 (1968)
  9. Б.П. Антонюк, В.Б. Антонюк «Самоорганизация возбуждений в германосиликатных волоконных световодах и ее роль в генерации второй гармоники» 171 61–78 (2001)
  10. И.В. Кукушкин, С.В. Мешков, В.Б. Тимофеев «Плотность состояний двумерных электронов в поперечном магнитном поле» 155 219–264 (1988)
  11. Г.М. Гуро «Характеристические времена электронных процессов в полупроводниках» 72 711–740 (1960)
  12. В.С. Вавилов «Излучательная рекомбинация в полупроводниках» 68 247–260 (1959)
  13. А.А. Балакин, Г.М. Фрайман «Э­лектрон-ионные столкновения в сильных электромагнитных полях» 187 1289–1328 (2017)
  14. С.П. Андреев «Спектры и кинетика систем с магнитопримесными состояниями при конечном радиусе потенциала» 143 213–238 (1984)
  15. Ф.Г. Басс, Ю.Г. Гуревич «Нелинейная теория распространения электромагнитных волн в плазме твердого тела и газового разряда» 103 447–468 (1971)
  16. Ю.Е. Перлин «Современные методы теории многофононных процессов» 80 553–595 (1963)
  17. Е.Л. Столярова «Полупроводниковые детекторы ядерных излучений» 81 641–668 (1963)
  18. Е.Ю. Кокориш, Н.Н. Шефталь «Дислокации в полупроводниковых кристаллах» 72 479–494 (1960)
  19. М.В. Фок «Электролюминесценция» 72 467–478 (1960)
  20. В.И. Карась, В.И. Соколенко «Неравновесная кинетика электрон-фононной подсистемы кристалла при действии переменных электрических и магнитных полей как основа электро- и магнитопластического эффектов» 188 1155–1177 (2018)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение