Выпуски

 / 

2017

 / 

Сентябрь

  

Обзоры актуальных проблем


Горячие электроны в оксиде кремния

 а, б, в
а Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, просп. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
б Новосибирский государственный университет, Академгородок, ул. Пирогова 2, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
в Новосибирский государственный технический университет, просп. Карла Маркса 20, Новосибирск, 630092, Российская Федерация

Аморфный оксид кремния SiO2 является ключевым диэлектриком в технологии и конструкции кремниевых приборов. Оксид кремния используется, в частности, в качестве туннельного диэлектрика в приборах флэш-памяти. Пробивное поле SiO2 превышает 107 В/см. В сильных электрических полях в SiO2 разыгрываются явления, которые не наблюдаются в кристаллических полупроводниках. В относительно слабых электрических полях (104 — 106 В/см) функция распределения электронов определяется рассеянием электронов на продольных оптических фононах. В полях >106 В/cм функция распределения определяется рассеянием электронов на акустических фононах.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
Ключевые слова: оксид кремния, горячие электроны, рассеяние, оптические фононы
PACS: 72.20.Ht, 72.20.Jv, 72.80.Sk, 73.40.Sx (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2016.12.038008
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2017/9/c/
Цитата: Гриценко В А "Горячие электроны в оксиде кремния" УФН 187 971–979 (2017)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 2 сентября 2016, доработана: 7 декабря 2016, 8 декабря 2016

English citation: Gritsenko V A “Hot electrons in silicon oxidePhys. Usp. 60 902–910 (2017); DOI: 10.3367/UFNe.2016.12.038008

Список литературы (44) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (1) Похожие статьи (20)

  1. Гриценко В А "Флэш приборы памяти" Диэлектрики в наноэлектронике (Отв. ред. А Л Асеев) (Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2010)
  2. Fischetti M V, DiMaria D J Phys. Rev. Lett. 55 2475 (1985)
  3. Roizin Y, Gritsenko V Dielectric Films for Advanced Microelectronics (Eds M R Baklanov, M L Greeen, K Maex) (Chichester: John Wiley and Sons, 2007) p. 251
  4. Wrazien S J et al. Solid-State Electron. 47 885 (2003)
  5. Lee C-H et al. Appl. Phys. Lett. 86 152908 (2005)
  6. Lisiansky M et al. Appl. Phys. Lett. 89 153506 (2006)
  7. Перевалов Т В, Гриценко В А УФН 180 587 (2010); Perevalov T V, Gritsenko V A Phys. Usp. 53 561 (2010)
  8. Nasyrov K A, Shaimeev S S, Gritsenko V A, Han J H J. Appl. Phys. 105 123709 (2009)
  9. Vishnyakov A V, Novikov Yu N, Gritsenko V A, Nasyrov K A Solid- State Electron. 53 25 (2009)
  10. Gritsenko V A, Nasyrov K A "Transport and defects in advanced gate dielectrics" Nano and Giga Challenges in Microelectronics, Conf., September 10, Moscow, Russia, 2002 p. 131
  11. Gritsenko V A et al. Solid-State Electron. 47 1651 (2003)
  12. Lee C-H, Park K-C, Kim K Appl. Phys. Lett. 87 073510 (2005)
  13. Prince B Vertical 3D Memory Technologies (Chichester: John Wiley and Sons, 2014)
  14. Fischetti M V Phys. Rev. B 31 2099 (1985)
  15. DiMaria D J, Cartier E, Buchanan D A J. Appl. Phys. 80 304 (1996)
  16. Некрашевич С С, Гриценко В А ФТТ 56 209 (2014); Nekrashevich S S, Gritsenko V A Phys. Solid State 56 207 (2014)
  17. Hughes R C Phys. Rev. Lett. 30 1333 (1973)
  18. Hughes R C Phys. Rev. Lett. 35 449 (1975)
  19. Thornber K K, Feynman R P Phys. Rev. B 1 4099 (1970)
  20. Fitting H-J, Friemann J-U Phys. Status Solidi A 69 349 (1982)
  21. Fitting H-J, Boyde J Phys. Status Solidi A 75 137 (1983)
  22. Fischetti M V et al. Phys. Rev. B 31 8124 (1985)
  23. Berglund C N, Powell R J J. Appl. Phys. 42 573 (1971)
  24. Гриценко В А, Могильников К П, Ржанов А В Письма в ЖЭТФ 27 400 (1978); Gritsenko V A, Mogil'nikov K P, Rzhanov A V JETP Lett. 27 375 (1978)
  25. Гриценко В А УФН 178 727 (2008); Gritsenko V A Phys. Usp. 51 699 (2008)
  26. Theis T N et al. Phys. Rev. Lett. 52 1445 (1984)
  27. Theis T N et al. Phys. Rev Lett. 50 750 (1983)
  28. DiMaria D J et al. J. Appl. Phys. 57 1214 (1985)
  29. Novikov Yu N, Gritsenko V A J. Appl. Phys. 110 014107 (2011)
  30. Гриценко В А Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах (Новосибирск: Наука, 1993)
  31. Ginovker A S, Gritsenko V A, Sinitsa S P Phys. Status Solidi B 26 489 (1974)
  32. Brorson S D et al. J. Appl. Phys. 58 1302 (1985)
  33. Alig R C, Bloom S, Struck С W Phys. Rev. B 22 5565 (1980)
  34. Geist J, Gladden W K Phys. Rev. B 27 4833 (1983)
  35. Есаев Д Г, Синица С П Письма в ЖТФ 12 1063 (1986); Esaev D G, Sinitsa S P Sov. Tech. Phys. Lett. 14 440 (1986)
  36. Esaev D G, Sinitsa S P Microelectron. Eng. 22 211 (1993)
  37. DiMaria D J et al. Phys. Rev. Lett. 57 3213 (1986)
  38. Fischetti M V et al. Phys. Rev. B 35 4404 (1987)
  39. Sorokin А N, Karpushin A A, Gritsenko V A, Wong H J. Appl. Phys. 105 073706 (2009)
  40. Nekrashevich S S, Gritsenko V A J. Appl. Phys. 110 114103 (2011)
  41. Гриценко В А, Перевалов Т В Физика диэлектрических пленок: атомная и электронная структура (Новосибирск: Автограф, 2015)
  42. Nasyrov K A, Gritsenko V A et al. J. Appl. Phys. 96 4293 (2004)
  43. Насыров К А, Гриценко В А УФН 183 1099 (2013); Nasyrov K A, Gritsenko V A Phys. Usp. 56 999 (2013)
  44. DiMaria D J, Abernathey J R J. Appl. Phys. 60 1727 (1986)

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение