Выпуски

 / 

2014

 / 

Октябрь

  

Обзоры актуальных проблем


Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца

 а,  б, в
а Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова, Химический факультет, Ленинские горы, Москва, 119992, Российская Федерация
б Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация
в Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

В обзоре рассмотрены необычные фотоэлектрические эффекты, наблюдающиеся в легированных узкощелевых полупроводниках на основе теллурида свинца при воздействии мощных импульсов лазерного терагерцового излучения. Показано, что за появление этих эффектов в ряде случаев ответственны нетривиальные локальные электронные состояния, "привязанные", в отличие от обычных примесных состояний, не к определённому месту в энергетическом спектре полупроводника, а к положению квазиуровня Ферми, которое может варьироваться при изменении степени фотовозбуждения.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 72.40.+w, 73.20.Hb (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0184.201410b.1033
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2014/10/b/
Цитата: Рябова Л И, Хохлов Д Р "Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца" УФН 184 1033–1044 (2014)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 15 января 2014, доработана: 8 февраля 2014, 11 февраля 2014

English citation: Ryabova L I, Khokhlov D R “Terahertz photoconductivity and nontrivial local electronic states in doped lead telluride-based semiconductorsPhys. Usp. 57 959–969 (2014); DOI: 10.3367/UFNe.0184.201410b.1033

Список литературы (64) Статьи, ссылающиеся на эту (20) Похожие статьи (20) ↓

  1. Б.А. Волков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов «Примеси с переменной валентностью в твердых растворах на основе теллурида свинца» 172 875–906 (2002)
  2. В.И. Кайданов, Ю.И. Равич «Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа AIVBVI» 145 51–86 (1985)
  3. И.К. Кикоин, С.Д. Лазарев «Фотоэлектромагнитный эффект» 124 597–617 (1978)
  4. А.В. Дмитриев, И.П. Звягин «Современные тенденции развития физики термоэлектрических материалов» 180 821–838 (2010)
  5. С.А. Немов, Ю.И. Равич «Примесь таллия в халькогенидах свинца: методы исследования и особенности» 168 817–842 (1998)
  6. М.В. Садовский «Псевдощель в высокотемпературных сверхпроводниках» 171 539–564 (2001)
  7. И.Г. Неизвестный, А.Э. Климов, В.Н. Шумский «Матричные фотонные приёмники для дальней инфракрасной и субмиллиметровой области спектра» 185 1031–1042 (2015)
  8. В.С. Вавилов «Природа и энергетический спектр радиационных нарушений в полупроводниках» 84 431–450 (1964)
  9. Г.М. Гуро «Характеристические времена электронных процессов в полупроводниках» 72 711–740 (1960)
  10. Н.Н. Берченко, М.В. Пашковский «Теллурид ртути — полупроводник с нулевой запрещенной зоной» 119 223–255 (1976)
  11. И.М. Цидильковский «Кристаллизация трехмерного электронного газа» 152 583–622 (1987)
  12. С.Г. Тиходеев «Электронно-дырочная жидкость в полупроводниках» 145 3–50 (1985)
  13. В.А. Миличко, А.С. Шалин и др. «Солнечная фотовольтаика: современное состояние и тенденции развития» 186 801–852 (2016)
  14. В.М. Арутюнян «Физические свойства границы полупроводник-электролит» 158 255–291 (1989)
  15. В.И. Белиничер, Б.И. Стурман «Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии» 130 415–458 (1980)
  16. И.А. Соколик, Е.Л. Франкевич «Влияние магнитных полей на фотопроцессы в органических твердых телах» 111 261–288 (1973)
  17. Б.Л. Гельмонт, В.И. Иванов-Омский, И.М. Цидильковский «Электронный энергетический спектр бесщелевых полупроводников» 120 337–362 (1976)
  18. А.Л. Эфрос «Плотность состояний и межзонное поглощение света в сильно легированных полупроводниках» 111 451–482 (1973)
  19. Ю.С. Калашникова, А.В. Нефедьев «X(3872) в молекулярной модели» 189 603–634 (2019)
  20. И.М. Цидильковский «Бесщелевые полупроводники с магнитными примесями, образующими резонансные донорные состояния» 162 (2) 63–105 (1992)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение