Выпуски

 / 

1976

 / 

Ноябрь

  

Обзоры актуальных проблем


Электронный энергетический спектр бесщелевых полупроводников

Содержание: Введение. Структура энергетических зон бесщелевых полупроводников. Экспериментальные данные, подтверждающие инверсную зонную структуру бесщелевых полупроводников. Энергетический спектр вблизи центра зоны Бриллюэна на основе гамильтониана Латтинджера. Особенности бесщелевых полупроводников. Примесные состояния в бесщелевых полупроводниках. Статистика носителей заряда в бесщелевых полупроводниках. Заключение. Цитированная литература

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 71.30.Mw
DOI: 10.3367/UFNr.0120.197611a.0337
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1976/11/a/
Цитата: Гельмонт Б Л, Иванов-Омский В И, Цидильковский И М "Электронный энергетический спектр бесщелевых полупроводников" УФН 120 337–362 (1976)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Gel’mont B L, Ivanov-Omskii V I, Tsidil’kovskii I M “The electronic energy spectrum of zero-gap semiconductorsSov. Phys. Usp. 19 879–893 (1976); DOI: 10.1070/PU1976v019n11ABEH005348

© Успехи физических наук, 1918–2021
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение