Выпуски

 / 

2014

 / 

Октябрь

  

Обзоры актуальных проблем


Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца

 а,  б, в
а Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова, Химический факультет, Ленинские горы, Москва, 119992, Российская Федерация
б Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация
в Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

В обзоре рассмотрены необычные фотоэлектрические эффекты, наблюдающиеся в легированных узкощелевых полупроводниках на основе теллурида свинца при воздействии мощных импульсов лазерного терагерцового излучения. Показано, что за появление этих эффектов в ряде случаев ответственны нетривиальные локальные электронные состояния, "привязанные", в отличие от обычных примесных состояний, не к определённому месту в энергетическом спектре полупроводника, а к положению квазиуровня Ферми, которое может варьироваться при изменении степени фотовозбуждения.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 72.40.+w, 73.20.Hb (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0184.201410b.1033
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2014/10/b/
Цитата: Рябова Л И, Хохлов Д Р "Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца" УФН 184 1033–1044 (2014)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 15 января 2014, доработана: 8 февраля 2014, 11 февраля 2014

English citation: Ryabova L I, Khokhlov D R “Terahertz photoconductivity and nontrivial local electronic states in doped lead telluride-based semiconductorsPhys. Usp. 57 959–969 (2014); DOI: 10.3367/UFNe.0184.201410b.1033

Список литературы (64) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (20) Похожие статьи (20)

  1. Fu L Phys. Rev. Lett. 106 106802 (2011)
  2. Dziawa P et al. Nature Mater. 11 1023 (2012)
  3. Tanaka Y et al. Phys. Rev. B 87 155105 (2013)
  4. Mahan G D, Sofo J O Proc. Natl. Acad. Sci. USA 93 7436 (1996)
  5. Heremans J P et al. Science 321 554 (2008)
  6. Heremans J P, Wiendlocha B, Chamoire A M Energy Environ. Sci. 5 5510 (2012)
  7. Jovovic V et al. J. Appl. Phys. 103 053710 (2008)
  8. Дмитриев А В, Звягин И П УФН 180 821 (2010); Dmitriev A V, Zvyagin I P Phys. Usp. 53 789 (2010)
  9. Fu H, Tsang S-W Nanoscale 4 2187 (2012)
  10. Khokhlov D (Ed.) Lead Chalcogenides: Physics & Applications (New York: Taylor & Francis, 2003)
  11. Rahim M et al. Opt. Lett. 33 3010 (2008)
  12. Кайданов В И, Равич Ю И УФН 145 51 (1985); Kaidanov V I, Ravich Yu I Sov. Phys. Usp. 28 31 (1985)
  13. Nimtz G, Schlicht B Narrow-Gap Semiconductors (Springer Tracts in Modern Physics) Vol. 98 (Ed. G Hohler) (Berlin: Springer-Verlag, 1983)
  14. Волков Б А, Рябова Л И, Хохлов Д Р УФН 172 875 (2002); Volkov B A, Ryabova L I, Khokhlov D R Phys. Usp. 45 819 (2002)
  15. Волков Б А, Ручайский О М Письма в ЖЭТФ 62 205 (1995); Volkov B A, Ruchaiskii O M JETP Lett. 62 217 (1995)
  16. Акимов Б А и др. ФТП 13 752 (1979); Akimov B A et al. Sov. Phys. Semicond. 13 441 (1979)
  17. Khokhlov D R et al. Appl. Phys. Lett. 76 2835 (2000)
  18. Kazanskii A G, Richards P L, Haller E E Appl. Phys. Lett. 31 496 (1977)
  19. Рябова Л И, Хохлов Д Р Письма в ЖЭТФ 97 825 (2013); Ryabova L I, Khokhlov D R JETP Lett. 97 720 (2013)
  20. Schneider P et al. J. Appl. Phys. 96 420 (2004)
  21. Ganichev S D et al. Phys. Rev. Lett. 80 2409 (1998)
  22. Ганичев С Д, Терентьев Я В, Ярошецкий И Д Письма в ЖТФ 11 46 (1985); Ganichev S D, Terent'ev Ya V, Yaroshetskii I D Sov. Tech. Phys. Lett. 11 20 (1985)
  23. Ziemann E et al. J. Appl. Phys. 87 3843 (2000)
  24. Галеева А В и др. Письма в ЖЭТФ 91 37 (2010); Galeeva A V et al. JETP Lett. 91 35 (2010)
  25. Khokhlov D et al. Appl. Phys. Lett. 93 264103 (2008)
  26. Рябова Л И Труды XVII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 11 - 15 марта 2013 Т. 2 (Нижний Новгород: Институт физики микроструктур, 2013) с. 635
  27. Chernichkin V I et al. Europhys. Lett. 100 17008 (2012)
  28. Dashevsky Z, Kreizman R, Dariel M P J. Appl. Phys. 98 094309 (2005)
  29. Неустроев Л Н, Осипов В В ФТП 20 34 (1986)
  30. Dashevsky Z et al. J. Nanoelectron. Optoelectron. 4 296 (2009)
  31. Dashevsky Z Handbook of Semiconductor Nanostructures and Nanodevices Vol. 4 (Ed. A A Balandin, K L Wang) (Stevenson Ranch, Calif.: American Scientific Publ., 2006), Ch. 11
  32. Komissarova T et al. Phys. Rev. B 75 195326 (2007)
  33. Добровольский А А и др. ФТП 43 265 (2009); Dobrovolsky A A et al. Semiconductors 43 253 (2009)
  34. Dobrovolsky A A et al. Semicond. Sci. Technol. 24 075010 (2009)
  35. Черничкин В И и др. ФТП 45 1533 (2011); Chernichkin V I et al. Semiconductors 45 1474 (2011)
  36. Dobrovolsky A et al. Phys. Status Solidi C 7 869 (2010)
  37. Dobrovolsky A et al. J. Phys. Conf. Ser. 150 022009 (2009)
  38. Dobrovolsky A et al. Int. J. Mater. Res. 100 1252 (2009)
  39. Акимов Б А и др. ФТП 17 1604 (1983); Akimov B A et al. Sov. Phys. Semicond. 17 1021 (1983)
  40. Ryabova L et al. Proc. SPIE 8439 84391H-1 (2012)
  41. Шейнкман М К, Шик А Я ФТП 10 209 (1976); Sheinkman M K, Shik A Ya Sov. Phys. Semicond. 10 128 (1976)
  42. Рябова Л И и др. Письма в ЖЭТФ 97 607 (2013); Ryabova L I et al. JETP Lett. 97 525 (2013)
  43. Kvon Z-D et al. Physica E 40 1885 (2008)
  44. Akimov B A et al. Phys. Lett. A 88 483 (1982)
  45. Рябова Л И, Хохлов Д Р Письма в ЖЭТФ 80 143 (2004); Ryabova L I, Khokhlov D R JETP Lett. 80 133 (2004)
  46. Skipetrov E P et al. J. Cryst. Growth 210 292 (2000)
  47. Skipetrov E P et al. Mold. J. Phys. Sci. (8) 63 (2009)
  48. Артамкин А И и др. ФТП 44 1591 (2010); Artamkin A I et al. Semiconductors 44 1543 (2010)
  49. Skipetrov E P et al. Physica B 404 5262 (2009)
  50. Скипетров Е П и др. ФНТ 39 98 (2013); Skipetrov E P et al. Low Temp. Phys. 39 76 (2013)
  51. Skipetrov E P et al. Semicond. Sci. Technol. 27 015019 (2012)
  52. Скипетров Е П и др. ФТП 46 761 (2012); Skipetrov E P et al. Semiconductors 46 741 (2012)
  53. Mott N F, Davis E A Electronic Processes in Non-Crystalline Materials (Oxford: Clarendon Press, 1979); Мотт Н, Дэвис Э Электронные процессы в некристаллических веществах Т. 1 (М.: Мир, 1982)
  54. Артамкин А И и др. ФТП 47 293 (2013); Artamkin A I et al. Semiconductors 47 319 (2013)
  55. Ganichev S D, Prettl W, Huggard P G Phys. Rev. Lett. 71 3882 (1993)
  56. Белогорохов А И и др. Письма в ЖЭТФ 72 178 (2000); Belogorokhov A I et al. JETP Lett. 72 123 (2000)
  57. Romcevic N et al. Infrared Phys. Technol. 40 453 (1999)
  58. Romcevic M et al. J. Phys. Condens. Matter 12 8737 (2000)
  59. Egorova S G et al. J. Alloys Comp. 615 375 (2014)
  60. Chernichkin V I et al. Semicond. Sci. Technol. 27 035011 (2012)
  61. Akimov B A, Khokhlov D R Semicond. Sci. Technol. 8 S349 (1993)
  62. Chesnokov S N et al. Infrared Phys. 35 23 (1994)
  63. Dolzhenko D et al. Proc. SPIE 8452 84520W (2012)
  64. Khokhlov D R Abstracts of ICONO/LAT 2013, Moscow, 18 - 22 June 2013 (2013) p. 108

© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение