Выпуски

 / 

1989

 / 

Июнь

  

Обзоры актуальных проблем


Физические свойства границы полупроводник-электролит


Research and Production Company Lasernaya Tekhnika, ul. Shoprona 21, Erevan, 375090, Armenia

Обсуждены строение двойного электрического слоя, образующегося на границе полупроводник-электролит, энергетические состояния и несовершенства в электролите и на поверхности полупроводника. Значительное место уделено изложению результатов исследований фотоэффектов, люминесценции, отражения и электроотражения на вышеуказанной границе. Квантовым размерным эффектам, имеющим место в полупроводниковых электродах и коллоидах, а также инжекции горячих электронов в электролит посвящены последующие разделы обзора. Дана классификация фотоэлектрохимических элементов и изложены современные данные по преобразователям солнечной энергии или лазерного излучения в электрическую или химическую. Табл. 1. Ил. 21. Библиограф. ссылок 143 (156 назв.)

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 72.40.+w, 73.40.Mr, 78.55.Et, 82.45.Gj, 82.45.Vp (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0158.198906c.0255
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1989/6/c/
Цитата: Арутюнян В М "Физические свойства границы полупроводник-электролит" УФН 158 255–291 (1989)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Arutyunyan V M “Physical properties of the semiconductor-electrolyte interfaceSov. Phys. Usp. 32 521–542 (1989); DOI: 10.1070/PU1989v032n06ABEH002726

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение