Выпуски

 / 

2014

 / 

Октябрь

  

Обзоры актуальных проблем


Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца

 а,  б, в
а Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова, Химический факультет, Ленинские горы, Москва, 119992, Российская Федерация
б Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация
в Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

В обзоре рассмотрены необычные фотоэлектрические эффекты, наблюдающиеся в легированных узкощелевых полупроводниках на основе теллурида свинца при воздействии мощных импульсов лазерного терагерцового излучения. Показано, что за появление этих эффектов в ряде случаев ответственны нетривиальные локальные электронные состояния, "привязанные", в отличие от обычных примесных состояний, не к определённому месту в энергетическом спектре полупроводника, а к положению квазиуровня Ферми, которое может варьироваться при изменении степени фотовозбуждения.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 72.40.+w, 73.20.Hb (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0184.201410b.1033
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2014/10/b/
Цитата: Рябова Л И, Хохлов Д Р "Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца" УФН 184 1033–1044 (2014)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 15 января 2014, доработана: 8 февраля 2014, 11 февраля 2014

English citation: Ryabova L I, Khokhlov D R “Terahertz photoconductivity and nontrivial local electronic states in doped lead telluride-based semiconductorsPhys. Usp. 57 959–969 (2014); DOI: 10.3367/UFNe.0184.201410b.1033

Список литературы (64) Статьи, ссылающиеся на эту (20) ↓ Похожие статьи (20)

  1. Ikonnikov A V, Dudin V S et al Semiconductors 54 1086 (2020)
  2. Ikonnikov A V, Chernichkin V I et al Semiconductors 53 1272 (2019)
  3. Drozdov K A, Krylov I V et al Semiconductors 53 814 (2019)
  4. Hovsepyan R K, Aghamalyan N R et al J. Contemp. Phys. 53 358 (2018)
  5. Drozdov K A, Krylov I V et al Semiconductors 52 902 (2018)
  6. Galeeva A V, Parafin A E et al 2018 43rd International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz), (2018) p. 1
  7. Galeeva A V, Parafin A E et al Jetp Lett. 107 785 (2018)
  8. Samoylov A M, Kuzminykh O G et al Inorg Mater 54 338 (2018)
  9. Akimov A N, Epov V S et al J. Phys.: Conf. Ser. 946 012016 (2018)
  10. Ishchenko D V, Neizvestny I G Semiconductors 52 836 (2018)
  11. Galeeva A V, Artamkin A I et al Jetp Lett. 106 162 (2017)
  12. Galeeva A V, Chernichkin V I et al IEEE Trans. THz Sci. Technol. 7 172 (2017)
  13. Karmokov A M, Kalmykov R M, Shomakhov Z V J. Phys.: Conf. Ser. 816 012006 (2017)
  14. Yasuda A, Takahashi Ya et al Journal of Crystal Growth 470 37 (2017)
  15. Klimov A E, Epov V S Semiconductors 50 1479 (2016)
  16. Galeeva A V, Egorova S G et al Jetp Lett. 104 68 (2016)
  17. Akimov A N, Klimov A E et al Semiconductors 50 440 (2016)
  18. Neizvestnyi I G, Klimov A E, Shumsky V N Успехи физических наук 185 1031 (2015) [Neizvestnyi I G, Klimov A E, Shumsky V N Phys.-Usp. 58 952 (2015)]
  19. Akimov A N, Epov V S et al 2015 16th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, (2015) p. 49
  20. Samoilov A M, Belenko S V et al Russ J Gen Chem 85 2242 (2015)

© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение