Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца

Л.И. Рябова^а, Д.Р. Хохлов^б, в
^аМосковский государственный университет им. М.В.Ломоносова, Химический факультет, Ленинские горы, Москва, 119992, Российская Федерация
^бМосковский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация
^вФизический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

В обзоре рассмотрены необычные фотоэлектрические эффекты, наблюдающиеся в легированных узкощелевых полупроводниках на основе теллурида свинца при воздействии мощных импульсов лазерного терагерцового излучения. Показано, что за появление этих эффектов в ряде случаев ответственны нетривиальные локальные электронные состояния, "привязанные", в отличие от обычных примесных состояний, не к определённому месту в энергетическом спектре полупроводника, а к положению квазиуровня Ферми, которое может варьироваться при изменении степени фотовозбуждения.

Текст pdf (993 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.0184.201410b.1033

PACS: 72.40.+w, 73.20.Hb (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0184.201410b.1033
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2014/10/b/
Web of Science

000346960100004
Scopus

2-s2.0-84920033649
ADS NASA

2014PhyU...57..959R
Цитата: Рябова Л И, Хохлов Д Р "Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца" УФН 184 1033–1044 (2014)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 15 января 2014, доработана: 8 февраля 2014, одобрена в печать: 11 февраля 2014

English citation: Ryabova L I, Khokhlov D R “Terahertz photoconductivity and nontrivial local electronic states in doped lead telluride-based semiconductors” Phys. Usp. 57 959–969 (2014); DOI: 10.3367/UFNe.0184.201410b.1033

Список литературы (64) Статьи, ссылающиеся на эту (23) ↓ Похожие статьи (20)

Akhundova N M, Aliyeva T D Inorg Mater 59 21 (2023)
Bagiyeva G Z, Abdinova G J et al Inorg Mater 59 1289 (2023)
Galeeva A V, Belov D A et al Nanomaterials 11 3207 (2021)
Ikonnikov A V, Dudin V S et al Semiconductors 54 1086 (2020)
Drozdov K A, Krylov I V et al Semiconductors 53 814 (2019)
Ikonnikov A V, Chernichkin V I et al Semiconductors 53 1272 (2019)
Samoylov A M, Kuzminykh O G et al Inorg Mater 54 338 (2018)
Ishchenko D V, Neizvestny I G Semiconductors 52 836 (2018)
Akimov A N, Epov V S et al J. Phys.: Conf. Ser. 946 012016 (2018)
Drozdov K A, Krylov I V et al Semiconductors 52 902 (2018)
Galeeva A V, Parafin A E et al Jetp Lett. 107 785 (2018)
Galeeva A V, Parafin A E et al 2018 43rd International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz), (2018) p. 1
Hovsepyan R K, Aghamalyan N R et al J. Contemp. Phys. 53 358 (2018)
Karmokov A M, Kalmykov R M, Shomakhov Z V J. Phys.: Conf. Ser. 816 012006 (2017)
Galeeva A V, Chernichkin V I et al IEEE Trans. THz Sci. Technol. 7 172 (2017)
Galeeva A V, Artamkin A I et al Jetp Lett. 106 162 (2017)
Yasuda A, Takahashi Ya et al Journal of Crystal Growth 470 37 (2017)
Galeeva A V, Egorova S G et al Jetp Lett. 104 68 (2016)
Klimov A E, Epov V S Semiconductors 50 1479 (2016)
Akimov A N, Klimov A E et al Semiconductors 50 440 (2016)
Neizvestnyi I G, Klimov A E, Shumsky V N Успехи физических наук 185 1031 (2015) [Neizvestnyi I G, Klimov A E, Shumsky V N Phys.-Usp. 58 952 (2015)]
Akimov A N, Epov V S et al 2015 16th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, (2015) p. 49
Samoilov A M, Belenko S V et al Russ J Gen Chem 85 2242 (2015)