Выпуски

 / 

1989

 / 

Январь

  

Из текущей литературы


Сканирующая туннельная микроскопия атомной структуры, электронных свойств и поверхностных химических реакций

,
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация

Обзор применений метода сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) для изучения характера электронных свойств чистых поверхностей, изменения электронных свойств при адсорбции и поверхностных химических реакциях, а также для выяснения роли электронных свойств поверхности в формировании химических связей в процессе реакции и при образовании поверхностных структур. Показано влияние локальной плотности электронных состояний на СТМ-изображение адсорбированных атомов тех или иных элементов. Дано описание электронных свойств и атомной структуры реконструированной поверхности Si (111)-(7 X 7). На примере химической реакции NH3 с поверхностью Si (111)-(7 X 7) показано, что реакционная способность различных атомов непосредственно связана с наличием локализованных «болтающихся связей».

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 68.37.Hk, 68.35.Bs, 73.20.At, 68.43.−h, 82.65.+r (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0157.198901f.0185
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1989/1/f/
Цитата: Маслова Н С, Панов В И "Сканирующая туннельная микроскопия атомной структуры, электронных свойств и поверхностных химических реакций" УФН 157 185–195 (1989)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Maslova N S, Panov V I “Scanning tunneling microscopy of atomic structure, electronic properties, and surface chemical reactionsSov. Phys. Usp. 32 93–99 (1989); DOI: 10.1070/PU1989v032n01ABEH002678

© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение