Выпуски

 / 

1989

 / 

Январь

  

Из текущей литературы


Сканирующая туннельная микроскопия атомной структуры, электронных свойств и поверхностных химических реакций

,
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Физический факультет, Воробьевы горы, Москва, 119992, Российская Федерация

Обзор применений метода сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) для изучения характера электронных свойств чистых поверхностей, изменения электронных свойств при адсорбции и поверхностных химических реакциях, а также для выяснения роли электронных свойств поверхности в формировании химических связей в процессе реакции и при образовании поверхностных структур. Показано влияние локальной плотности электронных состояний на СТМ-изображение адсорбированных атомов тех или иных элементов. Дано описание электронных свойств и атомной структуры реконструированной поверхности Si (111)-(7 X 7). На примере химической реакции NH3 с поверхностью Si (111)-(7 X 7) показано, что реакционная способность различных атомов непосредственно связана с наличием локализованных «болтающихся связей».

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 68.37.Hk, 68.35.Bs, 73.20.At, 68.43.−h, 82.65.+r (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0157.198901f.0185
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1989/1/f/
Цитата: Маслова Н С, Панов В И "Сканирующая туннельная микроскопия атомной структуры, электронных свойств и поверхностных химических реакций" УФН 157 185–195 (1989)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Maslova N S, Panov V I “Scanning tunneling microscopy of atomic structure, electronic properties, and surface chemical reactionsSov. Phys. Usp. 32 93–99 (1989); DOI: 10.1070/PU1989v032n01ABEH002678

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение