Аморфные оксид (SiO₂), оксинитрид (SiO_xN_y) и нитрид (Si₃N₄) кремния являются тремя ключевыми диэлектриками в кремниевых приборах. В настоящее время нитрид кремния находит многочисленные применения, в частности, в качестве запоминающей среды в приборах флеш-памяти нового поколения. Изменение химического состава нестехиометрического нитрида кремния SiN_x, обогащённого кремнием, позволяет в широком диапазоне управлять его оптическими и электрическими свойствами. Настоящий обзор посвящён анализу электронной структуры нитрида кремния переменного состава.

PACS: 71.15.Mb, 71.23.−k, 77.22.−d, 77.55.df, 77.84.Bw, 78.20.−e (все) DOI: 10.3367/UFNr.0182.201205d.0531 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2012/5/d/ 000307559000004 2-s2.0-84864992214 2012PhyU...55..498G Цитата: Гриценко В А "Электронная структура нитрида кремния" УФН 182 531–541 (2012) BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks Поступила: 8 декабря 2011, одобрена в печать: 16 января 2012 English citation: Gritsenko V A “Electronic structure of silicon nitride” Phys. Usp. 55 498–507 (2012); DOI: 10.3367/UFNe.0182.201205d.0531