Выпуски

 / 

2008

 / 

Июль

  

Обзоры актуальных проблем


Атомная структура аморфных нестехиометрических оксидов и нитридов кремния


Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Аморфные пленки окcида SiO2 и нитрида Si3N4 кремния являются двумя ключевыми диэлектриками в современных кремниевых приборах. В настоящее время кроме технологии получения стехиометрических пленок SiO2, Si3N4 разрабатывается технология создания нестехиометрических нитридов и оксидов кремния SiOxNy, SiNx, SiOx. Изменение химического состава этих соединений позволяет в широком диапазоне управлять их физическими (оптическими и электрическими) свойствами. Разработка технологии синтеза таких пленок требует детального понимания их атомной структуры. В обзоре систематизированы и обобщены современные представления об атомном строении нестехиометрических нитридов и оксидов кремния.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 33.60.Fy, 61.43.−j, 61.66.Fn, 68.35.Dv, 71.55.Jv (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0178.200807c.0727
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2008/7/c/
Цитата: Гриценко В А "Атомная структура аморфных нестехиометрических оксидов и нитридов кремния" УФН 178 727–737 (2008)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Gritsenko V A “Atomic structure of the amorphous nonstoichiometric silicon oxides and nitridesPhys. Usp. 51 699–708 (2008); DOI: 10.1070/PU2008v051n07ABEH006592

Список литературы (30) Статьи, ссылающиеся на эту (53) ↓ Похожие статьи (20)

  1. Isakhanov Z A, Yorkulov R M et al J. Synch. Investig. 15 401 (2021)
  2. Volodin V, Gritsenko V et al Nanocrystalline Materials Chapter 2 (2020)
  3. Astankova K N, Volodin V A, Azarov I A Semiconductors 54 1555 (2020)
  4. Perevalov T V, Volodin V A et al Journal of Non-Crystalline Solids 529 119796 (2020)
  5. Gritsenko V A, Kruchinin V N et al J. Exp. Theor. Phys. 129 924 (2019)
  6. Gritsenko V A, Gismatulin A A et al Mater. Res. Express 6 076401 (2019)
  7. Volodin V A, Kamaev G N et al International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2018, (2019) p. 33
  8. Lee Ju-H, Kim H-M et al Applied Surface Science 493 125 (2019)
  9. Perevalov T V, Volodin V A et al Phys. Solid State 61 2560 (2019)
  10. Filonenko O V, Lobanov V V Poverhn. 10(25) 118 (2018)
  11. Volodin V A, Rui Zh et al Semiconductors 52 1178 (2018)
  12. Romanov I A, Parkhomenko I N et al Vescì Akademìì navuk Belarusì. Seryâ fizika-matematyčnyh navuk 54 360 (2018)
  13. Erenburg S B, Trubina S V et al J. Exp. Theor. Phys. 126 816 (2018)
  14. Tyschenko I E, Krivyakin G K, Volodin V A Semiconductors 52 268 (2018)
  15. Perevalov T V, Gritsenko V A et al Nanotechnology 29 264001 (2018)
  16. Volodin V A, Gritsenko V A, Chin A Tech. Phys. Lett. 44 424 (2018)
  17. Novak A V, Novak V R et al Semiconductors 52 1953 (2018)
  18. Kononova I E, Kononov P V, Moshnikov V A Inorg Mater 54 478 (2018)
  19. Gritsenko V A, Novikov Yu N, Chin A Tech. Phys. Lett. 44 541 (2018)
  20. Gritsenko V A, Novikov Yu N et al Adv. Electron. Mater. 4 1700592 (2018)
  21. Gritsenko V A, Volodin V A et al Nanotechnology 29 425202 (2018)
  22. Petrov Yu V, Anikeva A E, Vyvenko O F Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 425 11 (2018)
  23. Vlasukova L, Parkhomenko I et al Mater. Res. Express 5 096414 (2018)
  24. Zamchiy A O, Baranov E A et al Vacuum 152 319 (2018)
  25. Volodin V A, Cherkov A G et al Mater. Res. Express 4 075010 (2017)
  26. Tyschenko I E, Popov V P Advances in Semiconductor Nanostructures (2017) p. 409
  27. Parkhomenko I, Vlasukova L et al Thin Solid Films 626 70 (2017)
  28. Isomura N, Murai T et al Jpn. J. Appl. Phys. 56 081301 (2017)
  29. Isomura N, Murai T et al J Synchrotron Rad 24 445 (2017)
  30. Gritsenko V A Успехи физических наук 187 971 (2017)
  31. Talanin V I, Talanin I E Phys. Solid State 58 2050 (2016)
  32. Kruchinin V N, Aliev V Sh et al Opt. Spectrosc. 121 241 (2016)
  33. Ivanova E V, Zamoryanskaya M V et al J. Exp. Theor. Phys. 120 710 (2015)
  34. Bommali R K, Ghosh S et al Mater. Res. Express 2 046204 (2015)
  35. Nekrashevich S S, Gritsenko V A Phys. Solid State 56 207 (2014)
  36. Bommali R K, Ahmad Sh et al Journal of Applied Physics 116 113501 (2014)
  37. Nasyrov K A, Gritsenko V A Успехи физических наук 183 1099 (2013) [Nasyrov K A, Gritsenko V A Phys.-Usp. 56 999 (2013)]
  38. Vlasukova L A, Komarov F F et al J Appl Spectrosc 80 89 (2013)
  39. Gritsenko V A Uspekhi Fizicheskikh Nauk 182 531 (2012)
  40. Bugaev K O, Zelenina A A, Volodin V A International Journal of Spectroscopy 2012 1 (2012)
  41. Volodin V A, Bugaev K O et al Thin Solid Films 520 6207 (2012)
  42. Novikov Yu N, Gritsenko V A Phys. Solid State 54 493 (2012)
  43. Nekrashevich S S, Gritsenko V A Journal of Applied Physics 110 114103 (2011)
  44. Korchagina T T, Volodin V A et al Tech. Phys. Lett. 37 622 (2011)
  45. Tyschenko I E, Popov V P Semiconductors 45 325 (2011)
  46. Gritsenko V A, Zhuravlev K S, Nadolinnyi V A Phys. Solid State 53 860 (2011)
  47. Nekrashevich S S, Gritsenko V A et al J. Exp. Theor. Phys. 111 659 (2010)
  48. Zatsepin D A, Kaschieva S et al phys. stat. sol. (a) 207 743 (2010)
  49. Korchagina T T, Volodin V A, Chichkov B N Semiconductors 44 1611 (2010)
  50. Rzodkiewicz W, Panas A J. Phys.: Conf. Ser. 181 012035 (2009)
  51. Gritsenko V A Uspekhi Fizicheskikh Nauk 179 921 (2009)
  52. Korchagina T T, Marin D V et al Semiconductors 43 1514 (2009)
  53. Zatsepin D A, Panin E A et al Phys. Solid State 51 2241 (2009)

© Успехи физических наук, 1918–2021
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение