Выпуски

 / 

2008

 / 

Июль

  

Обзоры актуальных проблем


Атомная структура аморфных нестехиометрических оксидов и нитридов кремния


Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Аморфные пленки окcида SiO2 и нитрида Si3N4 кремния являются двумя ключевыми диэлектриками в современных кремниевых приборах. В настоящее время кроме технологии получения стехиометрических пленок SiO2, Si3N4 разрабатывается технология создания нестехиометрических нитридов и оксидов кремния SiOxNy, SiNx, SiOx. Изменение химического состава этих соединений позволяет в широком диапазоне управлять их физическими (оптическими и электрическими) свойствами. Разработка технологии синтеза таких пленок требует детального понимания их атомной структуры. В обзоре систематизированы и обобщены современные представления об атомном строении нестехиометрических нитридов и оксидов кремния.

Текст pdf (910 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2008v051n07ABEH006592
PACS: 33.60.Fy, 61.43.−j, 61.66.Fn, 68.35.Dv, 71.55.Jv (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0178.200807c.0727
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2008/7/c/
000260580700003
2-s2.0-55749101208
2008PhyU...51..699G
Цитата: Гриценко В А "Атомная структура аморфных нестехиометрических оксидов и нитридов кремния" УФН 178 727–737 (2008)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Gritsenko V A “Atomic structure of the amorphous nonstoichiometric silicon oxides and nitridesPhys. Usp. 51 699–708 (2008); DOI: 10.1070/PU2008v051n07ABEH006592

Список литературы (30) Статьи, ссылающиеся на эту (62) Похожие статьи (20) ↓

  1. Т.В. Перевалов, В.А. Гриценко «Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью» 180 587–603 (2010)
  2. В.А. Гриценко «Структура границ раздела кремний/оксид и нитрид/оксид» 179 921–930 (2009)
  3. А.И. Гусев «Нестехиометрия и сверхструктуры» 184 905–945 (2014)
  4. В.А. Гриценко «Горячие электроны в оксиде кремния» 187 971–979 (2017)
  5. А.И. Гусев «Высокоэнергетический размол нестехиометрических соединений» 190 371–395 (2020)
  6. А.И. Гусев «Ближний порядок и диффузное рассеяние в нестехиометрических соединениях» 176 717–743 (2006)
  7. А.И. Гусев, С.З. Назарова «Магнитная восприимчивость нестехиометрических соединений переходных d-металлов» 175 681–704 (2005)
  8. Р.А. Андриевский «Тугоплавкие соединения: новые подходы и результаты» 187 296–310 (2017)
  9. Г.В. Козлов, В.У. Новиков «Кластерная модель аморфного состояния полимеров» 171 717–764 (2001)
  10. Л.Н. Демьянец «Высокотемпературные сверхпроводники: получение монокристаллов» 161 (1) 71–142 (1991)
  11. В.В. Бражкин, А.Г. Ляпин «Универсальный рост вязкости металлических расплавов в мегабарном диапазоне давлений: стеклообразное состояние внутреннего ядра Земли» 170 535–551 (2000)
  12. Д.К. Белащенко «Механизмы диффузии в неупорядоченных системах (компьютерное моделирование)» 169 361–384 (1999)
  13. Б.А. Клумов «Универсальные структурные свойства трёхмерных и двумерных расплавов» 193 305–330 (2023)
  14. А.И. Головашкин «Высокотемпературные сверхпроводящие керамики (обзор экспериментальных данных)» 152 553–573 (1987)
  15. В.А. Кизель, Ю.И. Красилов, В.И. Бурков «Экспериментальные исследования гиротропии кристаллов» 114 295–349 (1974)
  16. И.М. Лифшиц «О структуре энергетического спектра и квантовых состояниях неупорядоченных конденсированных систем» 83 617–663 (1964)
  17. А.Р. Челядинский, Ф.Ф. Комаров «Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии» 173 813–846 (2003)
  18. Л.В. Спивак «Синергические эффекты деформационного отклика в термодинамически открытых системах металл-водород» 178 897–922 (2008)
  19. Р. Фольк, Ю. Головач, Т. Яворский «Критические показатели трехмерной слабо разбавленной замороженной модели Изинга» 173 175–200 (2003)
  20. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос «Теория протекания и проводимость сильно неоднородных сред» 117 401–435 (1975)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение