Выпуски

 / 

2008

 / 

Июль

  

Обзоры актуальных проблем


Атомная структура аморфных нестехиометрических оксидов и нитридов кремния


Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Аморфные пленки окcида SiO2 и нитрида Si3N4 кремния являются двумя ключевыми диэлектриками в современных кремниевых приборах. В настоящее время кроме технологии получения стехиометрических пленок SiO2, Si3N4 разрабатывается технология создания нестехиометрических нитридов и оксидов кремния SiOxNy, SiNx, SiOx. Изменение химического состава этих соединений позволяет в широком диапазоне управлять их физическими (оптическими и электрическими) свойствами. Разработка технологии синтеза таких пленок требует детального понимания их атомной структуры. В обзоре систематизированы и обобщены современные представления об атомном строении нестехиометрических нитридов и оксидов кремния.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 33.60.Fy, 61.43.−j, 61.66.Fn, 68.35.Dv, 71.55.Jv (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0178.200807c.0727
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2008/7/c/
Цитата: Гриценко В А "Атомная структура аморфных нестехиометрических оксидов и нитридов кремния" УФН 178 727–737 (2008)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Gritsenko V A “Atomic structure of the amorphous nonstoichiometric silicon oxides and nitridesPhys. Usp. 51 699–708 (2008); DOI: 10.1070/PU2008v051n07ABEH006592

Список литературы (30) Статьи, ссылающиеся на эту (53) Похожие статьи (20) ↓

  1. Т.В. Перевалов, В.А. Гриценко «Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью» 180 587–603 (2010)
  2. В.А. Гриценко «Структура границ раздела кремний/оксид и нитрид/оксид» 179 921–930 (2009)
  3. А.И. Гусев «Нестехиометрия и сверхструктуры» 184 905–945 (2014)
  4. В.А. Гриценко «Горячие электроны в оксиде кремния» 187 971–979 (2017)
  5. А.И. Гусев «Высокоэнергетический размол нестехиометрических соединений» 190 371–395 (2020)
  6. А.И. Гусев «Ближний порядок и диффузное рассеяние в нестехиометрических соединениях» 176 717–743 (2006)
  7. А.И. Гусев, С.З. Назарова «Магнитная восприимчивость нестехиометрических соединений переходных d-металлов» 175 681–704 (2005)
  8. Р.А. Андриевский «Тугоплавкие соединения: новые подходы и результаты» 187 296–310 (2017)
  9. Г.В. Козлов, В.У. Новиков «Кластерная модель аморфного состояния полимеров» 171 717–764 (2001)
  10. В.В. Бражкин, А.Г. Ляпин «Универсальный рост вязкости металлических расплавов в мегабарном диапазоне давлений: стеклообразное состояние внутреннего ядра Земли» 170 535–551 (2000)
  11. Д.К. Белащенко «Механизмы диффузии в неупорядоченных системах (компьютерное моделирование)» 169 361–384 (1999)
  12. И.М. Лифшиц «О структуре энергетического спектра и квантовых состояниях неупорядоченных конденсированных систем» 83 617–663 (1964)
  13. Л.В. Спивак «Синергические эффекты деформационного отклика в термодинамически открытых системах металл-водород» 178 897–922 (2008)
  14. Р. Фольк, Ю. Головач, Т. Яворский «Критические показатели трехмерной слабо разбавленной замороженной модели Изинга» 173 175–200 (2003)
  15. М.П. Тонконогов «Диэлектрическая спектроскопия кристаллов с водородными связями. Протонная релаксация» 168 29–54 (1998)
  16. В.Л. Кузьмин, В.П. Романов «Когерентные эффекты при рассеянии света в неупорядоченных системах» 166 247–278 (1996)
  17. Л.Н. Демьянец «Высокотемпературные сверхпроводники: получение монокристаллов» 161 (1) 71–142 (1991)
  18. Г.Л. Беленький, Э.Ю. Салаев, Р.А. Сулейманов «Деформационные явления в слоистых кристаллах» 155 89–127 (1988)
  19. А.И. Головашкин «Высокотемпературные сверхпроводящие керамики (обзор экспериментальных данных)» 152 553–573 (1987)
  20. М.Н. Сапожников «50 лет селективной лазерной спектроскопии твёрдого тела: история, общие принципы и применения» 188 409–435 (2018)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2021
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение