Выпуски

 / 

2008

 / 

Июль

  

Обзоры актуальных проблем


Атомная структура аморфных нестехиометрических оксидов и нитридов кремния


Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Аморфные пленки окcида SiO2 и нитрида Si3N4 кремния являются двумя ключевыми диэлектриками в современных кремниевых приборах. В настоящее время кроме технологии получения стехиометрических пленок SiO2, Si3N4 разрабатывается технология создания нестехиометрических нитридов и оксидов кремния SiOxNy, SiNx, SiOx. Изменение химического состава этих соединений позволяет в широком диапазоне управлять их физическими (оптическими и электрическими) свойствами. Разработка технологии синтеза таких пленок требует детального понимания их атомной структуры. В обзоре систематизированы и обобщены современные представления об атомном строении нестехиометрических нитридов и оксидов кремния.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 33.60.Fy, 61.43.−j, 61.66.Fn, 68.35.Dv, 71.55.Jv (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0178.200807c.0727
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2008/7/c/
Цитата: Гриценко В А "Атомная структура аморфных нестехиометрических оксидов и нитридов кремния" УФН 178 727–737 (2008)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Gritsenko V A “Atomic structure of the amorphous nonstoichiometric silicon oxides and nitridesPhys. Usp. 51 699–708 (2008); DOI: 10.1070/PU2008v051n07ABEH006592

Список литературы (30) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (53) Похожие статьи (20)

  1. Гриценко В А Атомная и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах (Новосибирск: Наука, 1992)
  2. Gritsenko V A in Silicon Nitride in Electronics (Materials Science Monographs, Vol. 34, Ed. A V Rzhanov) (New York: Elsevier, 1988)
  3. She M, Takeuchi H, King T-J IEEE Electron Device Lett. 24 309 (2003)
  4. Gritsenko V A et al. Solid-State Electron. 47 1651 (2003)
  5. Gritsenko V A et al. Phys. Rev. Lett. 81 1054 (1998)
  6. Pai P G et al. J. Vac. Sci. Technol. A 4 689 (1986)
  7. Nagasima N et al. Jpn. J. Appl. Phys. 9 879 (1986)
  8. Mo S-D Phys. Rev. Lett. 83 5046 (1999)
  9. Stöhr J et al. Phys. Rev. B 20 664 (1979)
  10. Repnikova E A, Gurtov V A, Panova Z V Phys. Status Solidi A 119 113 (1990)
  11. Kuiper A E T et al. J. Vac. Sci. Technol. B 1 62 (1983)
  12. Rand M, Roberts J F J. Electrochem. Soc. 120 446 (1973)
  13. Гриценко В А "Состав, строение, электронная структура и перенос заряда в аморфном оксинитриде кремния" Препринт (Новосибирск: ИФП СО РАН, 1985)
  14. Eriksson T S, Granqvist C G J. Appl. Phys. 60 2081 (1986)
  15. Brown D M et al. J. Electrochem. Soc. 115 311 (1968)
  16. Hasegawa S et al. Phys. Rev. B 46 12478 (1992)
  17. Gritsenko V A et al. Philos. Mag. B 80 1857 (2000)
  18. Gritsenko V A et al. J. Non-Cryst. Solids 297 96 (2002)
  19. Гриценко В А, Костиков Ю П, Романов Н А Письма в ЖЭТФ 34 6 (1981); Gritsenko V A, Kostikov Yu P, Romanov N A JETP Lett. 34 3 (1981)
  20. Bell F G, Ley L Phys. Rev. B 37 8383 (1988)
  21. Болотин В П ДАН СССР 310 114 (1990)
  22. Gyulay J et al. J. Appl. Phys. 42 451 (1971)
  23. Makino T K J. Electrochem. Soc. 130 450 (1983)
  24. Nakahiro V, Masashiko M Jpn. J. Appl. Phys. 13 1300 (1986)
  25. Volodin V A et al. Appl. Phys. Lett. 73 1212 (1998)
  26. Molinari M, Rinnert H, Vergnat M Appl. Phys. Lett. 77 3499 (2000)
  27. Park N-M et al. Phys. Rev. Lett. 86 1355 (2001)
  28. Gritsenko V A, Meerson E E, Morokov Yu N Phys. Rev. B 57 R2081 (1998)
  29. Gritsenko V A et al. Thin Solid Films 437 135 (2003)
  30. Шкловский Б И, Эфрос А Л Электронные свойства легированных полупроводников (М.: Наука, 1979); Translated into English, Shklovskii B I, Efros A L Electronic Properties of Doped Semiconductors (Berlin: Springer-Verlag, 1984)

© Успехи физических наук, 1918–2021
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение