Атомная структура аморфных нестехиометрических оксидов и нитридов кремния

Аморфные пленки окcида SiO₂ и нитрида Si₃N₄ кремния являются двумя ключевыми диэлектриками в современных кремниевых приборах. В настоящее время кроме технологии получения стехиометрических пленок SiO₂, Si₃N₄ разрабатывается технология создания нестехиометрических нитридов и оксидов кремния SiO_xN_y, SiN_x, SiO_x. Изменение химического состава этих соединений позволяет в широком диапазоне управлять их физическими (оптическими и электрическими) свойствами. Разработка технологии синтеза таких пленок требует детального понимания их атомной структуры. В обзоре систематизированы и обобщены современные представления об атомном строении нестехиометрических нитридов и оксидов кремния.

Текст pdf (910 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2008v051n07ABEH006592

PACS: 33.60.Fy, 61.43.−j, 61.66.Fn, 68.35.Dv, 71.55.Jv (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0178.200807c.0727
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2008/7/c/
Web of Science

000260580700003
Scopus

2-s2.0-55749101208
ADS NASA

2008PhyU...51..699G
Цитата: Гриценко В А "Атомная структура аморфных нестехиометрических оксидов и нитридов кремния" УФН 178 727–737 (2008)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Gritsenko V A “Atomic structure of the amorphous nonstoichiometric silicon oxides and nitrides” Phys. Usp. 51 699–708 (2008); DOI: 10.1070/PU2008v051n07ABEH006592

Список литературы (30) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (62) Похожие статьи (20)

Гриценко В А Атомная и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах (Новосибирск: Наука, 1992)
Gritsenko V A in Silicon Nitride in Electronics (Materials Science Monographs, Vol. 34, Ed. A V Rzhanov) (New York: Elsevier, 1988)
She M, Takeuchi H, King T-J IEEE Electron Device Lett. 24 309 (2003)
Gritsenko V A et al. Solid-State Electron. 47 1651 (2003)
Gritsenko V A et al. Phys. Rev. Lett. 81 1054 (1998)
Pai P G et al. J. Vac. Sci. Technol. A 4 689 (1986)
Nagasima N et al. Jpn. J. Appl. Phys. 9 879 (1986)
Mo S-D Phys. Rev. Lett. 83 5046 (1999)
Stöhr J et al. Phys. Rev. B 20 664 (1979)
Repnikova E A, Gurtov V A, Panova Z V Phys. Status Solidi A 119 113 (1990)
Kuiper A E T et al. J. Vac. Sci. Technol. B 1 62 (1983)
Rand M, Roberts J F J. Electrochem. Soc. 120 446 (1973)
Гриценко В А "Состав, строение, электронная структура и перенос заряда в аморфном оксинитриде кремния" Препринт (Новосибирск: ИФП СО РАН, 1985)
Eriksson T S, Granqvist C G J. Appl. Phys. 60 2081 (1986)
Brown D M et al. J. Electrochem. Soc. 115 311 (1968)
Hasegawa S et al. Phys. Rev. B 46 12478 (1992)
Gritsenko V A et al. Philos. Mag. B 80 1857 (2000)
Gritsenko V A et al. J. Non-Cryst. Solids 297 96 (2002)
Гриценко В А, Костиков Ю П, Романов Н А Письма в ЖЭТФ 34 6 (1981); Gritsenko V A, Kostikov Yu P, Romanov N A JETP Lett. 34 3 (1981)
Bell F G, Ley L Phys. Rev. B 37 8383 (1988)
Болотин В П ДАН СССР 310 114 (1990)
Gyulay J et al. J. Appl. Phys. 42 451 (1971)
Makino T K J. Electrochem. Soc. 130 450 (1983)
Nakahiro V, Masashiko M Jpn. J. Appl. Phys. 13 1300 (1986)
Volodin V A et al. Appl. Phys. Lett. 73 1212 (1998)
Molinari M, Rinnert H, Vergnat M Appl. Phys. Lett. 77 3499 (2000)
Park N-M et al. Phys. Rev. Lett. 86 1355 (2001)
Gritsenko V A, Meerson E E, Morokov Yu N Phys. Rev. B 57 R2081 (1998)
Gritsenko V A et al. Thin Solid Films 437 135 (2003)
Шкловский Б И, Эфрос А Л Электронные свойства легированных полупроводников (М.: Наука, 1979); Translated into English, Shklovskii B I, Efros A L Electronic Properties of Doped Semiconductors (Berlin: Springer-Verlag, 1984)