RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 4, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2008

 / 

Май

←  →

Обзоры актуальных проблем


Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок

,
Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Кремний и арсенид галлия являются основными материалами современной микро- и наноэлектроники. Однако до сих пор приборы на их основе существуют раздельно на подложках Si и GaAs. Исследователи на протяжении последних более чем двадцати лет пытаются объединить эти материалы на наиболее эффективной подложке кремния. В настоящем обзоре систематизирован и обобщен достигнутый на сегодняшний день уровень понимания фундаментальных физических механизмов эпитаксиального формирования GaAs и соединений типа AIIIBV на его основе на подложках Si; представлены также основные технологические приемы, способствующие улучшению качества таких гетероструктур. Освещены достижения последних лет в изготовлении гетероструктур AIIIBV/Si приборного качества и приборов на их основе.

Текст pdf (895 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2008v051n05ABEH006529
PACS: 61.72.Lk, 62.25.−g, 81.05.Cy, 81.05.Ea, 81.15.−z, 85.40.Sz (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0178.200805b.0459
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2008/5/b/
000259376200002
2-s2.0-51549109577
2008PhyU...51..437B
Цитата: Болховитянов Ю Б, Пчеляков О П "Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок" УФН 178 459–480 (2008)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Bolkhovityanov Yu B, Pchelyakov O P “GaAs epitaxy on Si substrates: modern status of research and engineering” Phys. Usp. 51 437–456 (2008); DOI: 10.1070/PU2008v051n05ABEH006529

Список литературы (231) Статьи, ссылающиеся на эту (218) Похожие статьи (20) ↓

  1. Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков, С.И. Чикичев «Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур» 171 689–715 (2001)
  2. А.А. Шкляев, М. Ичикава «Предельно плотные массивы наноструктур германия и кремния» 178 139–169 (2008)
  3. А.Д. Погребняк, А.П. Шпак и др. «Структура и свойства твёрдых и сверхтвёрдых нанокомпозитных покрытий» 179 35–64 (2009)
  4. И.В. Антонова «Стрейнтроника двумерных неорганических материалов для электронных и оптических приложений» 192 609–641 (2022)
  5. Р.А. Андриевский, А.М. Глезер «Прочность наноструктур» 179 337 (2009)
  6. Г.А. Малыгин «Прочность и пластичность нанокристаллических материалов и наноразмерных кристаллов» 181 1129–1156 (2011)
  7. В.И. Бойко, А.Н. Валяев, А.Д. Погребняк «Модификация металлических материалов импульсными мощными пучками частиц» 169 1243–1271 (1999)
  8. А.Д. Погребняк, М.А. Лисовенко и др. «Защитные покрытия с наноразмерной многослойной архитектурой: современное состояние и перспективы» 191 262–291 (2021)
  9. М.А. Семина, Р.А. Сурис «Локализованные экситоны и трионы в полупроводниковых наносистемах» 192 121–142 (2022)
  10. Р.И. Гарбер, И.А. Гиндин «Физика прочности кристаллических тел» 70 57–110 (1960)
  11. Г.Н. Макаров «Экстремальные процессы в кластерах при столкновении с твердой поверхностью» 176 121–174 (2006)
  12. М.О. Катанаев «Геометрическая теория дефектов» 175 705–733 (2005)
  13. Р.З. Бахтизин, Ч.-Ж. Щуе и др. «Сканирующая туннельная микроскопия гетероэпитаксиального роста пленок III-нитридов» 174 383–405 (2004)
  14. Р.А. Андриевский «Металлические нано- и микростёкла: новые подходы в наноструктурном материаловедении» 183 277–285 (2013)
  15. В.Я. Покровский, С.Г. Зыбцев и др. «Высокочастотные, «квантовые» и электромеханические эффекты в квазиодномерных кристаллах с волной зарядовой плотности» 183 33–54 (2013)
  16. А.М. Желтиков «Комбинационное рассеяние света в фемто- и аттосекундной физике» 181 33–58 (2011)
  17. А.И. Гусев, С.З. Назарова «Магнитная восприимчивость нестехиометрических соединений переходных d-металлов» 175 681–704 (2005)
  18. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов «Процессы конденсации тонких пленок» 168 1083–1116 (1998)
  19. Е.Ф. Шека, Н.А. Попова, В.А. Попова «Физика и химия графена. Эмерджентность, магнетизм, механофизика и механохимия» 188 720–772 (2018)
  20. В.Б. Шикин, Ю.В. Шикина «Заряженные дислокации в полупроводниковых кристаллах» 165 887–917 (1995)

Список формируется автоматически.
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение