RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 9, 2026
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2008

 / 

май

←  →

Обзоры актуальных проблем


Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок

,
Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Кремний и арсенид галлия являются основными материалами современной микро- и наноэлектроники. Однако до сих пор приборы на их основе существуют раздельно на подложках Si и GaAs. Исследователи на протяжении последних более чем двадцати лет пытаются объединить эти материалы на наиболее эффективной подложке кремния. В настоящем обзоре систематизирован и обобщен достигнутый на сегодняшний день уровень понимания фундаментальных физических механизмов эпитаксиального формирования GaAs и соединений типа AIIIBV на его основе на подложках Si; представлены также основные технологические приемы, способствующие улучшению качества таких гетероструктур. Освещены достижения последних лет в изготовлении гетероструктур AIIIBV/Si приборного качества и приборов на их основе.

Текст pdf (895 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2008v051n05ABEH006529
PACS: 61.72.Lk, 62.25.−g, 81.05.Cy, 81.05.Ea, 81.15.−z, 85.40.Sz (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0178.200805b.0459
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2008/5/b/
000259376200002
2-s2.0-51549109577
2008PhyU...51..437B
Цитата: Болховитянов Ю Б, Пчеляков О П "Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок" УФН 178 459–480 (2008)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Bolkhovityanov Yu B, Pchelyakov O P “GaAs epitaxy on Si substrates: modern status of research and engineering” Phys. Usp. 51 437–456 (2008); DOI: 10.1070/PU2008v051n05ABEH006529

Список литературы (231) Статьи, ссылающиеся на эту (242) Похожие статьи (20) ↓

  1. Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков, С.И. Чикичев «Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур» УФН 171 689–715 (2001)
  2. А.А. Шкляев, М. Ичикава «Предельно плотные массивы наноструктур германия и кремния» УФН 178 139–169 (2008)
  3. А.Д. Погребняк, А.П. Шпак и др. «Структура и свойства твёрдых и сверхтвёрдых нанокомпозитных покрытий» УФН 179 35–64 (2009)
  4. Р.З. Бахтизин, Ч.-Ж. Щуе и др. «Сканирующая туннельная микроскопия гетероэпитаксиального роста пленок III-нитридов» УФН 174 383–405 (2004)
  5. А.А. Лебедев, П.А. Иванов и др. «Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)» УФН 189 803–848 (2019)
  6. Р.А. Андриевский «Металлические нано- и микростёкла: новые подходы в наноструктурном материаловедении» УФН 183 277–285 (2013)
  7. А.Р. Челядинский, Ф.Ф. Комаров «Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии» УФН 173 813–846 (2003)
  8. И.В. Антонова «Стрейнтроника двумерных неорганических материалов для электронных и оптических приложений» УФН 192 609–641 (2022)
  9. Р.А. Андриевский, А.М. Глезер «Прочность наноструктур» УФН 179 337 (2009)
  10. А.Д. Погребняк, М.А. Лисовенко и др. «Защитные покрытия с наноразмерной многослойной архитектурой: современное состояние и перспективы» УФН 191 262–291 (2021)
  11. В.И. Бойко, А.Н. Валяев, А.Д. Погребняк «Модификация металлических материалов импульсными мощными пучками частиц» УФН 169 1243–1271 (1999)
  12. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов «Процессы конденсации тонких пленок» УФН 168 1083–1116 (1998)
  13. А.И. Олемской, И.А. Скляр «Эволюция дефектной структуры твердого тела в процессе пластической деформации» УФН 162 (6) 29–79 (1992)
  14. В.В. Кирсанов, А.Н. Орлов «Моделирование на ЭВМ атомных конфигураций дефектов в металлах» УФН 142 219–264 (1984)
  15. Р.И. Гарбер, И.А. Гиндин «Физика прочности кристаллических тел» УФН 70 57–110 (1960)
  16. Р.А. Хмельницкий, Н.Б. Родионов и др. «Проблемы гомоэпитаксиального роста алмаза методом CVD и пути их решения» УФН 195 3–33 (2025)
  17. Г.А. Малыгин «Прочность и пластичность нанокристаллических материалов и наноразмерных кристаллов» УФН 181 1129–1156 (2011)
  18. М.О. Катанаев «Геометрическая теория дефектов» УФН 175 705–733 (2005)
  19. В.Я. Покровский, С.Г. Зыбцев и др. «Высокочастотные, "квантовые" и электромеханические эффекты в квазиодномерных кристаллах с волной зарядовой плотности» УФН 183 33–54 (2013)
  20. А.М. Желтиков «Комбинационное рассеяние света в фемто- и аттосекундной физике» УФН 181 33–58 (2011)

Список формируется автоматически.
© Успехи физических наук, 1918–2026
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение