Кремний и арсенид галлия являются основными материалами современной микро- и наноэлектроники. Однако до сих пор приборы на их основе существуют раздельно на подложках Si и GaAs. Исследователи на протяжении последних более чем двадцати лет пытаются объединить эти материалы на наиболее эффективной подложке кремния. В настоящем обзоре систематизирован и обобщен достигнутый на сегодняшний день уровень понимания фундаментальных физических механизмов эпитаксиального формирования GaAs и соединений типа A^IIIB^V на его основе на подложках Si; представлены также основные технологические приемы, способствующие улучшению качества таких гетероструктур. Освещены достижения последних лет в изготовлении гетероструктур A^IIIB^V/Si приборного качества и приборов на их основе.

PACS: 61.72.Lk, 62.25.−g, 81.05.Cy, 81.05.Ea, 81.15.−z, 85.40.Sz (все) DOI: 10.3367/UFNr.0178.200805b.0459 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2008/5/b/ 000259376200002 2-s2.0-51549109577 2008PhyU...51..437B Цитата: Болховитянов Ю Б, Пчеляков О П "Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок" УФН 178 459–480 (2008) BibTex BibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks Русский English %0 Journal Article %T Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок %A Ю. Б. Болховитянов %A О. П. Пчеляков %I Успехи физических наук %D 2008 %J Усп. физ. наук %V 178 %N 5 %P 459-480 %U https://ufn.ru/ru/articles/2008/5/b/ %U https://doi.org/10.3367/UFNr.0178.200805b.0459 English citation: Bolkhovityanov Yu B, Pchelyakov O P “GaAs epitaxy on Si substrates: modern status of research and engineering” Phys. Usp. 51 437–456 (2008); DOI: 10.1070/PU2008v051n05ABEH006529