Кремний и арсенид галлия являются основными материалами современной микро- и наноэлектроники. Однако до сих пор приборы на их основе существуют раздельно на подложках Si и GaAs. Исследователи на протяжении последних более чем двадцати лет пытаются объединить эти материалы на наиболее эффективной подложке кремния. В настоящем обзоре систематизирован и обобщен достигнутый на сегодняшний день уровень понимания фундаментальных физических механизмов эпитаксиального формирования GaAs и соединений типа A^IIIB^V на его основе на подложках Si; представлены также основные технологические приемы, способствующие улучшению качества таких гетероструктур. Освещены достижения последних лет в изготовлении гетероструктур A^IIIB^V/Si приборного качества и приборов на их основе.

PACS: 61.72.Lk, 62.25.−g, 81.05.Cy, 81.05.Ea, 81.15.−z, 85.40.Sz (все) DOI: 10.3367/UFNr.0178.200805b.0459 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2008/5/b/ 000259376200002 2-s2.0-51549109577 2008PhyU...51..437B Цитата: Болховитянов Ю Б, Пчеляков О П "Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок" УФН 178 459–480 (2008) BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks Русский English RT Journal T1 GaAs epitaxy on Si substrates: modern status of research and engineering A1 Bolkhovityanov,Yu.B. A1 Pchelyakov,O.P. PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk PY 2008 FD 10 May, 2008 JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk JO Usp. Fiz. Nauk VO 178 IS 5 SP 459-480 DO 10.3367/UFNr.0178.200805b.0459 LK https://ufn.ru/ru/articles/2008/5/b/ English citation: Bolkhovityanov Yu B, Pchelyakov O P “GaAs epitaxy on Si substrates: modern status of research and engineering” Phys. Usp. 51 437–456 (2008); DOI: 10.1070/PU2008v051n05ABEH006529