Выпуски

 / 

2008

 / 

Май

  

Обзоры актуальных проблем


Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок

,
Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Кремний и арсенид галлия являются основными материалами современной микро- и наноэлектроники. Однако до сих пор приборы на их основе существуют раздельно на подложках Si и GaAs. Исследователи на протяжении последних более чем двадцати лет пытаются объединить эти материалы на наиболее эффективной подложке кремния. В настоящем обзоре систематизирован и обобщен достигнутый на сегодняшний день уровень понимания фундаментальных физических механизмов эпитаксиального формирования GaAs и соединений типа AIIIBV на его основе на подложках Si; представлены также основные технологические приемы, способствующие улучшению качества таких гетероструктур. Освещены достижения последних лет в изготовлении гетероструктур AIIIBV/Si приборного качества и приборов на их основе.

Текст pdf (895 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2008v051n05ABEH006529
PACS: 61.72.Lk, 62.25.−g, 81.05.Cy, 81.05.Ea, 81.15.−z, 85.40.Sz (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0178.200805b.0459
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2008/5/b/
000259376200002
2-s2.0-51549109577
2008PhyU...51..437B
Цитата: Болховитянов Ю Б, Пчеляков О П "Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок" УФН 178 459–480 (2008)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS) MedlineRefWorks
Русский English
PT Journal Article
TI GaAs epitaxy on Si substrates: modern status of research and engineering
AU Bolkhovityanov Yu B
FAU Bolkhovityanov YB
AU Pchelyakov O P
FAU Pchelyakov OP
DP 10 May, 2008
TA Usp. Fiz. Nauk
VI 178
IP 5
PG 459-480
RX 10.3367/UFNr.0178.200805b.0459
URL https://ufn.ru/ru/articles/2008/5/b/
SO Usp. Fiz. Nauk 2008 May 10;178(5):459-480

English citation: Bolkhovityanov Yu B, Pchelyakov O P “GaAs epitaxy on Si substrates: modern status of research and engineeringPhys. Usp. 51 437–456 (2008); DOI: 10.1070/PU2008v051n05ABEH006529

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение