|
||||||||||||||||||
Предельно плотные массивы наноструктур германия и кремнияа Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация б Quantum-Phase Electronics Center, Department of Applied Physics, The University of Tokyo and Japan Science and Technology Agency, CREST, 7-3-1 Hongo, Tokyo, 113-8656, Japan В обзоре анализируются результаты исследования поверхностных процессов образования наноструктур германия и кремния. Рассмотрены закономерности зарождения трехмерных островков и релаксации напряженного двумерного слоя при гетероэпитаксии германия на кремнии, которые вызывают самопроизвольный рост островков. Окисление поверхности кремния перед осаждением германия или кремния кардинально изменяет механизм роста и приводит к созданию островков с предельно высокой плотностью 1012-1013 и размерами менее 10 нм. Их свойства определяются эффектами пространственного квантования. Массивы этих островков, в свою очередь, образуют уникальную поверхность для роста на ней слоев кремния, способных излучать фотоны с длиной волны
|
||||||||||||||||||
|