RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 11, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2008

 / 

Февраль

←  →

Обзоры актуальных проблем


Предельно плотные массивы наноструктур германия и кремния

 а, б,  б
а Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
б Quantum-Phase Electronics Center, Department of Applied Physics, The University of Tokyo and Japan Science and Technology Agency, CREST, 7-3-1 Hongo, Tokyo, 113-8656, Japan

В обзоре анализируются результаты исследования поверхностных процессов образования наноструктур германия и кремния. Рассмотрены закономерности зарождения трехмерных островков и релаксации напряженного двумерного слоя при гетероэпитаксии германия на кремнии, которые вызывают самопроизвольный рост островков. Окисление поверхности кремния перед осаждением германия или кремния кардинально изменяет механизм роста и приводит к созданию островков с предельно высокой плотностью 1012-1013 и размерами менее 10 нм. Их свойства определяются эффектами пространственного квантования. Массивы этих островков, в свою очередь, образуют уникальную поверхность для роста на ней слоев кремния, способных излучать фотоны с длиной волны 1,5-1,6 мкм.

Текст pdf (4,9 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2008v051n02ABEH006344
PACS: 78.55.Ap, 81.07.−b, 81.16.−c (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0178.200802b.0139
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2008/2/b/
000256729400002
2-s2.0-45149130684
2008PhyU...51..133S
Цитата: Шкляев А А, Ичикава М "Предельно плотные массивы наноструктур германия и кремния" УФН 178 139–169 (2008)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Shklyaev A A, Ichikawa M “Extremely dense arrays of germanium and silicon nanostructures” Phys. Usp. 51 133–161 (2008); DOI: 10.1070/PU2008v051n02ABEH006344

Список литературы (199) Статьи, ссылающиеся на эту (66) ↓ Похожие статьи (20)

  1. Ramanandan S P, Reñé S J et al Nanoscale Horiz. 9 555 (2024)
  2. Shklyaev A A Thin Solid Films 768 139720 (2023)
  3. Тыныштыкбаев К Б Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника (2) 76 (2023)
  4. Лисенко В С, Кондратенко С В и др Ukr. J. Phys. 57 1132 (2021)
  5. Dvornichenko A V, Kharchenko V O, Kharchenko D O Beilstein J. Nanotechnol. 12 694 (2021)
  6. Dvornichenko A V Ukr. J. Phys. 66 439 (2021)
  7. Shklyaev A A, Tsarev A V IEEE Photonics J. 13 1 (2021)
  8. Utkin D E, Tsarev A V et al Optoelectron.Instrument.Proc. 57 494 (2021)
  9. Velikhanov A R Physica B: Condensed Matter 621 413205 (2021)
  10. Lozovoy K A, Kokhanenko A P et al Russ Phys J 63 296 (2020)
  11. Reich K V Phys.-Usp. 63 994 (2020)
  12. Lozovoy K A, Korotaev A G et al Surface and Coatings Technology 384 125289 (2020)
  13. Zhou Y, Lloyd A et al Surface Science 696 121594 (2020)
  14. Lozovoy K A, Kokhanenko A P et al Crystal Growth & Design 19 7015 (2019)
  15. Shklyaev A A, Latyshev A V Applied Surface Science 465 10 (2019)
  16. Izhnin I I, Fitsych O I et al Opto-Electronics Review 26 195 (2018)
  17. Lozovoy K A, Kokhanenko A P, Voitsekhovskii A V Surface Science 669 45 (2018)
  18. Lozovoy K, Kokhanenko A, Voitsekhovskii A Nanotechnology 29 054002 (2018)
  19. Nanosist. Nanomater. Nanotehnol. 16 (1) (2018)
  20. Matsui H, Ishibe T et al 112 (3) (2018)
  21. Shklyaev A A, Romanyuk K N et al Advances in Semiconductor Nanostructures (2017) p. 325
  22. Izhnin I I, Fitsych O I et al Nanoscale Res Lett 12 (1) (2017)
  23. Pishchagin A A, Voitsekhovskii A V et al J. Phys.: Conf. Ser. 741 012015 (2016)
  24. Ishibe T, Watanabe K, Nakamura Y Jpn. J. Appl. Phys. 55 08NB12 (2016)
  25. Ishibe T, Matsui H et al Appl. Phys. Express 9 055508 (2016)
  26. Shklyaev A A, Latyshev A V Nanoscale Res Lett 11 (1) (2016)
  27. Shklyaev A A, Budazhapova A E Applied Surface Science 360 1023 (2016)
  28. Lozovoy K A, Kokhanenko A P, Voitsekhovskii A V 109 (2) (2016)
  29. Psarev V I, Parkhomenko L A J. Synch. Investig. 10 593 (2016)
  30. Saito Sh, Al-Attili A Z et al Semicond. Sci. Technol. 31 043002 (2016)
  31. Lozovoy K A, Kokhanenko A P, Voitsekhovskii A V Crystal Growth & Design 15 1055 (2015)
  32. Shklyaev A, Bolotov L et al 117 (20) (2015)
  33. Shklyaev A A, Ponomarev K E Journal of Crystal Growth 413 94 (2015)
  34. Yamasaka Sh, Nakamura Y et al Journal of Elec Materi 44 2015 (2015)
  35. Tynyshtykbaev K B, Ryabikin Yu A et al Russ Microelectron 44 559 (2015)
  36. Lysenko V S, Kondratenko S V, Kozyrev Yu N Functional Nanomaterials and Devices for Electronics, Sensors and Energy Harvesting Engineering Materials Chapter 19 (2014) p. 417
  37. Psarev V I, Parkhomenko L A J. Synch. Investig. 8 1177 (2014)
  38. Shklyaev A A, Romanyuk K N, Kosolobov S S Surface Science 625 50 (2014)
  39. Shklyaev A A, Shegai O A et al 115 (20) (2014)
  40. (Nanophotonics V) Vol. Nanophotonics VPhotocurrent spectroscopy of Ge nanoclusters grown on oxidized silicon surfaceDavid L.AndrewsJean-MichelNunziAndreasOstendorfA. A.MykytiukS. V.KondratenkoV. S.LysenkoYu. N.Kozyrev9126 (2014) p. 91263J
  41. Ponomarev K E, Shklyaev A A 2014 15th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM), (2014) p. 10
  42. Gerasimenko N N, Tynyshtykbaev K B et al Semiconductors 48 1088 (2014)
  43. Nadtochy A B, Korotchenkov O A, Kuryliuk V V Tech. Phys. 58 393 (2013)
  44. Tynyshtykbaev K B, Aitmukan T et al MSA 04 1 (2013)
  45. Ponomarev K E, Shklyaev A A 2013 14th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, (2013) p. 37
  46. Kuryliuk V V, Korotchenkov O A Semiconductors 47 1031 (2013)
  47. Garbar N P, Kudina V N et al AMR 854 21 (2013)
  48. Lysenko V S, Kondratenko S V et al Semicond. Sci. Technol. 28 085009 (2013)
  49. Lysenko V S, Gomeniuk Y V et al AMR 854 11 (2013)
  50. Shklyaev A A, Kozhukhov A S et al Applied Surface Science 267 40 (2013)
  51. Shklyaev A A, Gulyaev D V et al Optics Communications 286 228 (2013)
  52. Shklyaev A A, Romanyuk K N, Latyshev A V JSEMAT 03 195 (2013)
  53. Hernández-Hernández A, Rangel-Kuoppa V T et al 111 (4) (2012)
  54. Kulinich O A Russ Phys J 55 58 (2012)
  55. Shklyaev A A, Latyshev A V, Ichikawa M Physics Procedia 32 117 (2012)
  56. Kurkina I I, Antonova I V et al 2 (3) (2012)
  57. Tynyshtykbaev K B 2011 International Conference on Multimedia Technology, (2011) p. 6528
  58. Romanyuk K N, Shklyaev A A et al Jetp Lett. 93 661 (2011)
  59. Shklyaev A A, Romanyuk K N et al Jetp Lett. 94 442 (2011)
  60. Shklyaev A A, Dultsev F N et al J. Phys. D: Appl. Phys. 44 025402 (2011)
  61. Ichikawa M Springer Series in Surface Sciences Vol. Nanophenomena at SurfacesFormation and Opto-electronic Properties of Nanostructures on Ultrathin SiO2-Covered Si Surfaces47 Chapter 10 (2011) p. 219
  62. Psarev V I Russ. J. Non-ferrous Metals 51 398 (2010)
  63. Shklyaev A A, Latyshev A V, Ichikawa M Semiconductors 44 432 (2010)
  64. Shklyaev A A, Gorbunov A V, Ichikawa M 2010 11th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, (2010) p. 59
  65. Shklyaev A A, Gorbunov A V, Ichikawa M 2009 International School and Seminar on Modern Problems of Nanoelectronics, Micro- and Nanosystem Technologies, (2009) p. 24
  66. Ichikawa M, Nakamura Y et al MRS Proc. 1145 (2008)
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение