Выпуски

 / 

2003

 / 

Сентябрь

  

Конференции и симпозиумы


Электронные свойства узкощелевых полупроводников типа IV-VI


Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 71.20.Nr, 73.20.−r (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0173.200309j.1013
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2003/9/j/
Цитата: Волков Б А "Электронные свойства узкощелевых полупроводников типа IV-VI" УФН 173 1013–1015 (2003)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Volkov B A “Electronic properties of narrow gap IV-VI semiconductorsPhys. Usp. 46 984–986 (2003); DOI: 10.1070/PU2003v046n09ABEH001645

Список литературы (9) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (1) Похожие статьи (20)

  1. Pankratov O A, Volkov B A Sov. Sci. Reviews Sect. A Phys. Rev. 9 355 (1987)
  2. Volkov B A, Pankratov O A in Landau Level Spectroscopy (Modern Problems in Condensed Matter Sciences, Vol. 27, Eds G Landwehr, E I Rashba) (Amsterdam: North-Holland, 1991)
  3. Волков Б А, Идлис Б Г, Усманов М Ш УФН 165 799 (1995)
  4. Волков Б А, Рябова Л И, Хохлов Д Р УФН 172 875 (2002)
  5. Volkov B A in Lead Chalcogenidess: Physics and Applications (Optoelectronic Properyies of Semiconductors and Superlattices, Vol. 18, Ed. D Khokhlov) (New York: Taylor & Francis, 2003)
  6. Абрикосов А А, Фальковский Л А ЖЭТФ 43 1089 (1962)
  7. Волков Б А, Кушнир В П, Панкратов О А ФТТ 24 415 (1982)
  8. Волков Б А, Кушнир В П ФТТ 25 1803 (1983)
  9. Волков Б А, Ручайский О М ФТТ 40 57 (1998)

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение