Выпуск 4, 2024

Подписчикам

Для авторов

Выпуски

/

2003

/

Сентябрь

← →

Конференции и симпозиумы

Электронные свойства узкощелевых полупроводников типа IV-VI

Б.А. Волков
Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Текст pdf (159 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2003v046n09ABEH001645

PACS: 71.20.Nr, 73.20.−r (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0173.200309j.1013
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2003/9/j/
Web of Science

Web of Science

000188171400009
Цитата: Волков Б А "Электронные свойства узкощелевых полупроводников типа IV-VI" УФН 173 1013–1015 (2003)

BibTexBibNote ® (generic)

BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

TY JOUR
TI Электронные свойства узкощелевых полупроводников типа IV-VI
AU Волков, Б. А.
PB Успехи физических наук
PY 2003
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 173
IS 9
SP 1013-1015
UR https://ufn.ru/ru/articles/2003/9/j/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0173.200309j.1013

English citation: Volkov B A “Electronic properties of narrow gap IV-VI semiconductors” Phys. Usp. 46 984–986 (2003); DOI: 10.1070/PU2003v046n09ABEH001645

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение