Выпуски

 / 

2003

 / 

Сентябрь

  

Конференции и симпозиумы


Новые схемы полупроводниковых лазеров и освоение терагерцового диапазона

 а,  б,  а,  а,  а,  в
а Институт прикладной физики РАН, ул. Ульянова 46, Нижний Новгород, 603000, Российская Федерация
б Факультет электротехники и вычислительной техники, университет Техаса, Остин, США
в Институт квантовых исследований и физический факультет, университет Техаса, Колледж Стейшен, Техас, США
Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 42.55.Px, 42.60.−v (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0173.200309k.1015
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2003/9/k/
Цитата: Белянин А А, Деппе Д, Кочаровский В В, Кочаровский В В, Пестов Д С, Скалли М О "Новые схемы полупроводниковых лазеров и освоение терагерцового диапазона" УФН 173 1015–1021 (2003)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Belyanin A A, Deppe D, Kocharovskii V V, Kocharovskii V V, Pestov D S, Sculli M O “New semiconductor laser designs and the exploratory investigation of the terahertz frequency rangePhys. Usp. 46 986–992 (2003); DOI: 10.1070/PU2003v046n09ABEH001646

© Успехи физических наук, 1918–2018
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение