RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 4, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2003

 / 

Сентябрь

←  →

Конференции и симпозиумы


Электронные свойства узкощелевых полупроводников типа IV-VI


Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
Текст pdf (159 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2003v046n09ABEH001645
PACS: 71.20.Nr, 73.20.−r (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0173.200309j.1013
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2003/9/j/
000188171400009
Цитата: Волков Б А "Электронные свойства узкощелевых полупроводников типа IV-VI" УФН 173 1013–1015 (2003)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Volkov B A “Electronic properties of narrow gap IV-VI semiconductors” Phys. Usp. 46 984–986 (2003); DOI: 10.1070/PU2003v046n09ABEH001645

Список литературы (9) Статьи, ссылающиеся на эту (1) Похожие статьи (20) ↓

  1. Б.А. Волков, О.А. Панкратов «Инверсный контакт полупроводников — новая неоднородная структура с двумерным газом электронов нулевой массы» 149 339–342 (1986)
  2. Б.А. Волков, О.А. Панкратов «Электронное строение квазикубических кристаллов: зоны, диэлектрические свойства, дефекты в узкощелевых полупроводниках» 149 334–336 (1986)
  3. С.А. Тарасенко «Электронные свойства топологических изоляторов. Структура краевых состояний и фотогальванические эффекты» 188 1129–1134 (2018)
  4. Л.И. Магарилл, А.В. Чаплик, М.В. Энтин «Спектр и кинетика электронов в криволинейных наноструктурах» 175 995 (2005)
  5. Б.А. Волков, А.А. Горбацевич, Ю.В. Копаев «Аномальные диамагнитные свойства систем со спонтанным током» 143 331–333 (1984)
  6. Н.А. Гиппиус, В.Д. Кулаковский, С.Г. Тиходеев «Влияние перераспределения электрического поля на электронные и оптические свойства наноструктур» 167 558–562 (1997)
  7. В.Ф. Елесин, И.Ю. Катеев и др. «Теория когерентной генерации туннельно-резонансного диода» 170 333–335 (2000)
  8. Л.И. Магарилл, Д.А. Романов, А.В. Чаплик «Низкоразмерные электроны в криволинейных наноструктурах» 170 325–327 (2000)
  9. Э.И. Рашба, К.Б. Толпыго «IV Совещание по теории полупроводников» 74 161–175 (1961)
  10. Е.М. Дижур, В.А. Вентцель, А.Н. Вороновский «Квантовый транспорт при высоких давлениях» 178 1111–1118 (2008)
  11. С.В. Морозов «Новые эффекты в графене с высокой подвижностью носителей» 182 437–442 (2012)
  12. О.А. Панкратов «Поверхностные состояния топологических изоляторов» 188 1226–1237 (2018)
  13. В.Д. Кулаковский, Д.Н. Крижановский и др. «Объединенная научная сессия Отделения физических наук Российской академии наук и Объединенного физического общества Российской Федерации (16 апреля 2003 г.)» 173 995 (2003)
  14. В.М. Пудалов, С.Г. Семенчинский, В.С. Эдельман «Заряд и потенциал инверсионного слоя МДП-структуры в квантующем магнитном поле» 146 536–538 (1985)
  15. С.В. Гапонов «Сверхтонкие пленки твердых тел и многослойные структуры: метод получения, исследования, применения» 146 343–346 (1985)
  16. С.М. Клоцман «Локальные структуры, диффузионные, динамические и электронные свойства ядра внутренних поверхностей раздела и прилегающих к ним областей кристаллитов» 164 443–446 (1994)
  17. В.В. Соболев «Спектроскопия собственных энергетических уровней твердых тел» 113 350–351 (1974)
  18. С.И. Радауцан «Исследование сложных полупроводниковых материалов в Молдавской ССР» 113 337–340 (1974)
  19. Г.Д. Гусейнов «Некоторые итоги и перспективы поиска сложных полупроводников-аналогов» 99 508–508 (1969)
  20. В.Н. Алфеев «Свойства и применение структур на основе параэлектриков, сверхпроводников и полупроводников» 120 137–138 (1976)

Список формируется автоматически.
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение