Выпуски

 / 

2003

 / 

Сентябрь

  

Конференции и симпозиумы


Электронные свойства узкощелевых полупроводников типа IV-VI


Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 71.20.Nr, 73.20.−r (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0173.200309j.1013
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2003/9/j/
Цитата: Волков Б А "Электронные свойства узкощелевых полупроводников типа IV-VI" УФН 173 1013–1015 (2003)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks
Русский English
RT Journal
T1 Электронные свойства узкощелевых полупроводников типа IV-VI
A1 Волков,Б.А.
PB Успехи физических наук
PY 2003
FD 10 Sep, 2003
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 173
IS 9
SP 1013-1015
DO 10.3367/UFNr.0173.200309j.1013
LK https://ufn.ru/ru/articles/2003/9/j/

English citation: Volkov B A “Electronic properties of narrow gap IV-VI semiconductorsPhys. Usp. 46 984–986 (2003); DOI: 10.1070/PU2003v046n09ABEH001645

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение