Выпуски

 / 

2003

 / 

Сентябрь

  

Конференции и симпозиумы


Электронные свойства узкощелевых полупроводников типа IV-VI


Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 71.20.Nr, 73.20.−r (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0173.200309j.1013
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2003/9/j/
Цитата: Волков Б А "Электронные свойства узкощелевых полупроводников типа IV-VI" УФН 173 1013–1015 (2003)
BibTex BibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
%0 Journal Article
%T Электронные свойства узкощелевых полупроводников типа IV-VI
%A Б. А. Волков
%I Успехи физических наук
%D 2003
%J Усп. физ. наук
%V 173
%N 9
%P 1013-1015
%U https://ufn.ru/ru/articles/2003/9/j/
%U https://doi.org/10.3367/UFNr.0173.200309j.1013

English citation: Volkov B A “Electronic properties of narrow gap IV-VI semiconductorsPhys. Usp. 46 984–986 (2003); DOI: 10.1070/PU2003v046n09ABEH001645

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение