Выпуски

 / 

1995

 / 

Июль

  

Специальный выпуск


Приграничные состояния в неоднородных полупроводниковых структурах

, ,
Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Рассмотрены условия возникновения и спектр локализованных электронных состояний в различных неоднородных структурах из узкощелевых полупроводников с взаимно инвертированными зонами. Рассмотрение основано на применении методов суперсимметрии и факторизации к решению уравнения типа Дирака с неоднородными внешними потенциалами для одномерных, двумерных и трехмерных систем.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 73.20.Dx, 73.40.Lq, 71.28.+d (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0165.199507e.0799
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1995/7/e/
Цитата: Волков Б А, Идлис Б Г, Усманов М Ш "Приграничные состояния в неоднородных полупроводниковых структурах" УФН 165 799–810 (1995)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Volkov B A, Idlis B G, Usmanov M Sh “Interface states in inhomogeneous semiconductor structuresPhys. Usp. 38 761–771 (1995); DOI: 10.1070/PU1995v038n07ABEH000097

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение