Выпуск 4, 2024

Подписчикам

Для авторов

Выпуски

/

2003

/

Сентябрь

← →

Конференции и симпозиумы

Электронные свойства узкощелевых полупроводников типа IV-VI

Б.А. Волков
Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Текст pdf (159 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2003v046n09ABEH001645

PACS: 71.20.Nr, 73.20.−r (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0173.200309j.1013
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2003/9/j/
Web of Science

Web of Science

000188171400009
Цитата: Волков Б А "Электронные свойства узкощелевых полупроводников типа IV-VI" УФН 173 1013–1015 (2003)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)

MedlineRefWorks

English

PT Journal Article
TI Electronic properties of narrow gap IV – VI semiconductors

AU Volkov B A
FAU Volkov BA
DP 10 Sep, 2003
TA Usp. Fiz. Nauk
VI 173
IP 9
PG 1013-1015
RX 10.3367/UFNr.0173.200309j.1013
URL https://ufn.ru/ru/articles/2003/9/j/
SO Usp. Fiz. Nauk 2003 Sep 10;173(9):1013-1015

English citation: Volkov B A “Electronic properties of narrow gap IV-VI semiconductors” Phys. Usp. 46 984–986 (2003); DOI: 10.1070/PU2003v046n09ABEH001645

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение