RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 9, 2026
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2000

 / 

февраль

←  →

Обзоры актуальных проблем


Метастабильные и бистабильные дефекты в кремнии

, ,
Физико-технический институт, Алматы, Казахстан

Анализируются известные к настоящему времени данные по свойствам и структуре метастабильных и бистабильных дефектов в кремнии. Рассматриваются первичные радиационные дефекты: вакансии, собственные междоузельные атомы и пары Френкеля, примесные комплексы, содержащие атомы кислорода, углерода, водорода и другие примесные атомы, а также дефекты с отрицательной корреляционной энергией.

Текст pdf (400 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2000v043n02ABEH000649
PACS: 61.72.−y, 61.72.Tt, 61.80.−x, 71.55.−i (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0170.200002b.0143
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2000/2/b/
000086092900002
Цитата: Мукашев Б Н, Абдуллин Х А, Горелкинский Ю В "Метастабильные и бистабильные дефекты в кремнии" УФН 170 143–155 (2000)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Mukashev B N, Abdullin Kh A, Gorelkinskii Yu V “Metastable and bistable defects in silicon” Phys. Usp. 43 139–150 (2000); DOI: 10.1070/PU2000v043n02ABEH000649

Список литературы (104) Статьи, ссылающиеся на эту (46) Похожие статьи (20) ↓

  1. В.С. Вавилов «Миграция атомов в полупроводниках и изменения числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной подсистемы» УФН 167 407–412 (1997)
  2. Б.А. Волков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов «Примеси с переменной валентностью в твердых растворах на основе теллурида свинца» УФН 172 875–906 (2002)
  3. А.Р. Челядинский, Ф.Ф. Комаров «Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии» УФН 173 813–846 (2003)
  4. С.А. Немов, Ю.И. Равич «Примесь таллия в халькогенидах свинца: методы исследования и особенности» УФН 168 817–842 (1998)
  5. В.М. Агранович, В.В. Кирсанов «Проблемы моделирования радиационных повреждений в кристаллах» УФН 118 3–51 (1976)
  6. Р.Б. Моргунов «Спиновая микромеханика в физике пластичности» УФН 174 131–153 (2004)
  7. В.И. Кайданов, Ю.И. Равич «Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа AIVBVI» УФН 145 51–86 (1985)
  8. Ч.Б. Лущик, И.К. Витол, М.А. Эланго «Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах» УФН 122 223–251 (1977)
  9. В.С. Вавилов «Природа и энергетический спектр радиационных нарушений в полупроводниках» УФН 84 431–450 (1964)
  10. К.В. Мицен, О.М. Иваненко «Фазовая диаграмма La2–xMxCuO4 как ключ к пониманию природы ВТСП» УФН 174 545–563 (2004)
  11. Ф.Ф. Комаров «Нано- и микроструктурирование твёрдых тел быстрыми тяжёлыми ионами» УФН 187 465–504 (2017)
  12. А.А. Ликальтер «Критические точки конденсации в кулоновских системах» УФН 170 831–854 (2000)
  13. И.М. Цидильковский «Бесщелевые полупроводники с магнитными примесями, образующими резонансные донорные состояния» УФН 162 (2) 63–105 (1992)
  14. М.С. Ковалев, И.М. Подлесных и др. «Инфракрасная фотопроводимость кремния, легированного халькогенами» УФН 196 601–614 (2026)
  15. В.И. Бойко, А.Н. Валяев, А.Д. Погребняк «Модификация металлических материалов импульсными мощными пучками частиц» УФН 169 1243–1271 (1999)
  16. М.И. Гусева, Ю.В. Мартыненко «Радиационный блистеринг» УФН 135 671–691 (1981)
  17. Ф.Ф. Комаров «Дефектообразование и трекообразование в твердых телах при облучении ионами сверхвысоких энергий» УФН 173 1287–1318 (2003)
  18. А.Л. Ивановский «Магнитные эффекты в немагнитных sp-материалах, индуцированные sp-примесями и дефектами» УФН 177 1083 (2007)
  19. Л.В. Спивак «Синергические эффекты деформационного отклика в термодинамически открытых системах металл – водород» УФН 178 897–922 (2008)
  20. В.Б. Молодкин, А.П. Шпак и др. «Многопараметрическая кристаллография на основе многообразности картины многократного рассеяния брэгговских и диффузных волн (метод стоячих диффузных волн)» УФН 181 681–712 (2011)

Список формируется автоматически.
© Успехи физических наук, 1918–2026
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение