RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 12, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2000

 / 

Февраль

←  →

Обзоры актуальных проблем


Метастабильные и бистабильные дефекты в кремнии

, ,
Физико-технический институт, Алматы, Казахстан

Анализируются известные к настоящему времени данные по свойствам и структуре метастабильных и бистабильных дефектов в кремнии. Рассматриваются первичные радиационные дефекты: вакансии, собственные междоузельные атомы и пары Френкеля, примесные комплексы, содержащие атомы кислорода, углерода, водорода и другие примесные атомы, а также дефекты с отрицательной корреляционной энергией.

Текст pdf (400 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2000v043n02ABEH000649
PACS: 61.72.−y, 61.72.Tt, 61.80.−x, 71.55.−i (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0170.200002b.0143
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2000/2/b/
000086092900002
Цитата: Мукашев Б Н, Абдуллин Х А, Горелкинский Ю В "Метастабильные и бистабильные дефекты в кремнии" УФН 170 143–155 (2000)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Mukashev B N, Abdullin Kh A, Gorelkinskii Yu V “Metastable and bistable defects in silicon” Phys. Usp. 43 139–150 (2000); DOI: 10.1070/PU2000v043n02ABEH000649

Список литературы (104) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (43) Похожие статьи (20)

  1. Вавилов В С УФН 84 431 (1964)
  2. Емцев В В, Машовец Т В Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М.: Радио и связь, 1981)
  3. Ланно М, Бургуэн Ж Точечные дефекты в полупроводниках Т. 2 (М.: Мир, 1985)
  4. Watkins G D Mater. Sci. Forum 143-147 9 (1994)
  5. Watkins G D Mater. Sci. Forum 38-41 39 (1989)
  6. Chantre A Defects in Electronic Materials (Mater. Res. Proc., Vol. 104, Eds M Stavola, S J Pearton, G Davies) (Pittsburgh, Pa.: Materials Research Society, 1988), 7
  7. Barraff G A Mater. Sci. Forum 10-12 377 (1986)
  8. Шриффер Дж Теория сверхпроводимости (М.: Наука, 1970)
  9. Anderson P W Phys. Rev. Lett. 34 953 (1975)
  10. Watkins G D Inst. Phys. Conf. Ser. (23) 1 (1975)
  11. Абдуллин Х А, Мукашев Б Н ФТП 29 335 (1995)
  12. Литвиненко А Г и др. ФТП 14 776 (1980)
  13. Murin L I Phys. Status Solidi A 101 K107 (1987)
  14. Trombetta J M, Watkins G D Appl. Phys. Lett. 51 1103 (1987)
  15. Берман Л С и др. ФТП 24 2186 (1990)
  16. Кучинский П В, Ломако В М, Петрунин А П ФТП 23 1625 (1989)
  17. Abdullin Kh A et al. Phys. Lett. A 166 40 (1992)
  18. Kimerling L С, Blood P, Gibson W M Defects and Radiation Effects in Semiconductors, 1978; Kimerling L С, Blood P, Gibson W M Inst. Phys. Conf. Ser. (46) 273 (1978)
  19. Mooney P M et al. Phys. Rev. B 15 3836 (1977)
  20. Watkins G D Radiation Damage in Semiconductors (New York, London: Academic Press, 1965) p. 97
  21. Song L W et al. Phys. Rev. B 42 5765 (1990)
  22. Юхневич А В, Мудрый А В ФТП 7 1215 (1977)
  23. Davies G, Lightowlers E C, do Carmo M C J. Phys. C 16 5503 (1983)
  24. O'Donnell K P, Lee K M, Watkins G D Physica B 116 258 (1983)
  25. Chappell S P et al. Mater. Sci. Forum 38-41 481 (1989)
  26. Endrös A Phys. Rev. Lett. 63 70 (1989)
  27. Yoneta M, Kamiura Y, Hashimoto F Appl. Phys. Lett. 59 3165 (1991)
  28. Nielsen K B, Nielsen B B, Hansen J Mater. Sci. Forum 258-263 271 (1997)
  29. Holm B, Nielsen K B, Nielsen B B Phys. Rev. Lett. 66 2360 (1991)
  30. Вавилов В С, Ухин Н А Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах (М.: Атомиздат, 1969)
  31. Коноплева Р Ф, Литвинов В Л, Ухин Н А Особенности радиационного повреждения полупроводников частицами высоких энергий (М.: Атомиздат, 1971)
  32. Витовский Н А, Мустафакулов Д, Чекмарева А П ФТП 11 1747 (1977)
  33. Емцев В В, Машовец Т В, Назарян Е Х ФТП 16 687 (1982)
  34. Harris R D, Watkins G D Proc. 13th Intern. Conf. Defects in Semiconductors (Eds L C Kimerling, J M Parsey, Jr) (Warrendale: AIME, 1985) p. 799
  35. Bech Nielsen B, Andersen J U Phys. Rev. B 35 2732 (1987)
  36. Абдуллин Х А, Мукашев Б Н ФТП 28 1831 (1994)
  37. Watkins G D, Troxell J R, Chatterjii A P Inst. Phys. Conf. Ser. (46) 16 (1978)
  38. Bourgoin J C, Corbett J W Phys. Lett. A 38 135 (1972)
  39. Оксенгендлер Б Л Метод радиационных воздействий в исследовании структуры и свойств твердых тел (Под ред. О Р Ниязовой) (Ташкент: Фан, 1971)
  40. Londos C A Phys. Rev. B 35 7511 (1987)
  41. Кучинский П В, Ломако В М, Петрунин А П ФТП 25 448 (1991)
  42. Troxell J R et al. Phys. Rev. B 19 5336 (1979)
  43. Abdullin Kh A, Mukashev B N, Gorelkinskii Yu V Appl. Phys. Lett. 71 703 (1997)
  44. Горелкинский Ю В, Мукашев Б Н, Абдуллин Х А ФТП 32 421 (1998)
  45. Baraff G A, Schluter M Phys. Rev. B 30 3460 (1984)
  46. Мильвидский М Г, Чалдышев В В ФТП 32 513 (1998)
  47. Weber E R Impurity Diffusion and Gettering in Silicon (Eds R B Fair, C W Pearce, J Washburn) (Pittsburgh, Pa.: Materials Research Society, 1985)
  48. Chantre A, Bois D Phys. Rev. B 31 7979 (1985)
  49. Chantre A, Kimerling L C Mater. Sci. Forum 10-12 387 (1986)
  50. Gehlhoff W et al. Phys. Rev. B 41 8560 (1990)
  51. Kimerling L C et al. Mater. Sci. Forum 38-41 141 (1989)
  52. Van Kooten J J, Weller G A, Ammerlaan C A J Phys. Rev. B 30 4564 (1984)
  53. Song L W, Benson B W, Watkins G D Phys. Rev. B 33 1452 (1986)
  54. Zhan X D, Watkins G D Mater. Sci. Forum 83-87 345 (1992)
  55. Beckett D J S, Nissen M K, Thewalt M L W Phys. Rev. B 40 9618 (1989)
  56. Frens A M et al. Phys. Rev. B 46 12316 (1992)
  57. Jeyanathan L et al. Mater. Sci. Forum 143-147 1167 (1994)
  58. Brelot A, Charlemagne J Rad. Effects 8 161 (1971)
  59. Abdullin Kh A et al. Mater. Sci. Engin. B 36 77 (1996)
  60. Abdullin Kh A, Mukashev B N, Gorelkinskii Yu V Semicond. Sci. Technol. 11 1696 (1996)
  61. Deak P et al. Mater. Sci. Forum 83-87 395 (1992)
  62. Watkins G D, Chatterjee A P, Harris R D Inst. Phys. Conf. Ser. (59) 199 (1981)
  63. Watkins G D, Troxell J R Phys. Rev. Lett. 44 593 (1980)
  64. Baraff G A, Kane E O, Schlüter M Phys. Rev. B 21 3563 (1980)
  65. Car R et al. Phys. Rev. Lett. 52 1814 (1984)
  66. Bar-Yam Y, Joannopoulos J D Phys. Rev. B 30 1844 (1984)
  67. Pearton S J, Corbett J W, Stavola M Hydrogen in Crystalline Semiconductors (Berlin: Springer-Verlag, 1992)
  68. McQuaid S A et al. Mater. Sci. Forum 143-147 963 (1994)
  69. Johnson N M, Herring C, Van de Walle C G Phys. Rev. Lett. 73 130 (1994)
  70. Токмолдин С Ж Автореф. дисс. ... д-ра физ.-мат. наук (Алматы: Физико-технический институт, 1998)
  71. Lichti R L, Schwab C, Estle T L Mater. Sci. Forum 196-201 831 (1995)
  72. Горелкинский Ю В, Невинный Н Н Письма в ЖТФ 13 105 (1987)
  73. Fuller C S, Severiens J C Phys. Rev. 96 21 (1954)
  74. Kaiser W, Frisch H L, Reiss H Phys. Rev. 112 1546 (1958)
  75. Jones R (Ed.) Early Stages of Oxygen Precipitation in Silicon (NATO ASI Series, Partnership Sub-Series 3, High Technology, Vol. 17) (Dordrecht: Kluwer Acad. Publ., 1996)
  76. Ткачев В Д и др. ФТП 18 526 (1984)
  77. Макаренко Л Ф, Маркевич В П, Мурин Л П ФТП 19 1935 (1985)
  78. Makarenko L F, Murin L I Phys. Status Solidi B 145 241 (1988)
  79. Mooney P M J. Appl. Phys. 1 (1990)
  80. Muller S H et al. Solid State Commun. 25 987 (1978)
  81. Götz W, Pensl G, Zulehner W Phys. Rev. B 46 4312 (1992)
  82. Stavola M et al. Phys. Rev. Lett. 54 2639 (1985)
  83. Kohn W, Luttinger J M Phys. Rev. 98 915 (1955)
  84. Navarro H et al. Solid State Commun. 58 151 (1986)
  85. Newman R C et al. Phys. Rev. B 54 R6803 (1996)
  86. Pritchard R E et al. Semicond. Sci. Technol. 12 1404 (1997)
  87. Lebedev A I, Abdullin Kh A Phys. Status Solidi A 91 225 (1985)
  88. Макаренко Л Ф ФТП 28 1434 (1994)
  89. Ohmura Y, Zohta Y, Kanazawa M Solid State Commun. 11 263 (1972)
  90. Gorelkinskii Yu V, Sigle V O, Takibaev Zh S Phys. Status Solidi A 22 K55 (1974)
  91. Gorelkinskii Yu V, Nevinnyi N N Physica B 170 155 (1991)
  92. Gorelkinskii Yu V, Nevinnyi N N, Abdullin Kh A Appl. Phys. 84 4847 (1998)
  93. Hartung J, Weber J Phys. Rev. B 48 14161 (1993)
  94. Горелкинский Ю В, Невинный Н Н Письма в ЖТФ 7 1044 (1981)
  95. Gorelkinskii Yu V, Nevinnyi N N Nucl. Instrum. Methods 209-210 677 (1983)
  96. Markevich V P et al. Mater. Sci. Forum 196-201 945 (1995)
  97. Martin G M, Makram-Ebeid S Deep Centers in Semiconductors: A State of the Art Approach (Ed. S T Pantelides) (New York: Gordon and Breach, 1986)
  98. Wirbeleit F, Niklas J R Mater. Sci. Forum 258-263 987 (1997)
  99. Bourgoin J C Mater. Sci. Forum 258-263 993 (1997)
  100. Dobaczewski L, Kaczor P, Peaker A R Mater. Sci. Forum 142-147 1001 (1994)
  101. Lang D V Deep Centers in Semiconductors: A State of the Art Approach (Ed. S T Pantelides) (New York: Gordon and Breach, 1986) p. 489
  102. Chadi D J, Park C H Mater. Sci. Forum 196-201 285 (1995)
  103. Белогорохов А И и др. ФТП 32 679 (1998)
  104. Baj M et al. Mater. Sci. Forum 143 1019 (1994)
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение