Выпуски

 / 

2004

 / 

Февраль

  

Обзоры актуальных проблем


Спиновая микромеханика в физике пластичности


Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация

Влияние спинового состояния дефектов структуры на механические свойства кристаллов —- предмет исследования спиновой микромеханики, возникшей на стыке физики твердого тела, спиновой химии и физики пластичности. Главным основанием для обсуждения элементарных процессов пластического деформирования кристаллов на электронно-спиновом уровне рассмотрения являются полученные в последние годы надежные экспериментальные доказательства влияния мультиплетности возбужденных короткоживущих пар дефектов на процесс движения дислокаций (носителей пластической деформации) в различных типах немагнитоупорядоченных кристаллов. Поскольку основной метод, позволяющий выделить роль спиновых состояний дефектов в формировании механических свойств твердых тел, базируется на исследовании влияния магнитного поля на их пластичность, главное внимание уделено систематизации и анализу экспериментальных данных, полученных о магнитопластических эффектах. Для интерпретации этих явлений используется аналогия между элементарными актами преодоления препятствий дислокациями и ранее исследованными спин-зависимыми процессами переноса заряда, излучения света, установления химической связи между молекулами.

Текст pdf (690 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2004v047n02ABEH001683
PACS: 61.72.−y, 62.20.−x, 75.80.+q (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0174.200402c.0131
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2004/2/c/
000222400000003
2004PhyU...47..125M
Цитата: Моргунов Р Б "Спиновая микромеханика в физике пластичности" УФН 174 131–153 (2004)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Morgunov R B “Spin micromechanics in the physics of plasticityPhys. Usp. 47 125–147 (2004); DOI: 10.1070/PU2004v047n02ABEH001683

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение