RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 4, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2000

 / 

Февраль

←  →

Обзоры актуальных проблем


Метастабильные и бистабильные дефекты в кремнии

, ,
Физико-технический институт, Алматы, Казахстан

Анализируются известные к настоящему времени данные по свойствам и структуре метастабильных и бистабильных дефектов в кремнии. Рассматриваются первичные радиационные дефекты: вакансии, собственные междоузельные атомы и пары Френкеля, примесные комплексы, содержащие атомы кислорода, углерода, водорода и другие примесные атомы, а также дефекты с отрицательной корреляционной энергией.

Текст pdf (400 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2000v043n02ABEH000649
PACS: 61.72.−y, 61.72.Tt, 61.80.−x, 71.55.−i (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0170.200002b.0143
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2000/2/b/
000086092900002
Цитата: Мукашев Б Н, Абдуллин Х А, Горелкинский Ю В "Метастабильные и бистабильные дефекты в кремнии" УФН 170 143–155 (2000)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Mukashev B N, Abdullin Kh A, Gorelkinskii Yu V “Metastable and bistable defects in silicon” Phys. Usp. 43 139–150 (2000); DOI: 10.1070/PU2000v043n02ABEH000649

Список литературы (104) Статьи, ссылающиеся на эту (42) ↓ Похожие статьи (20)

  1. Slobodzyan D, Kushlyk M et al Materials 15 4052 (2022)
  2. Pavlov Je, Ceponis T et al Materials 15 1861 (2022)
  3. Besleaga C, Kuncser A et al Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment 1017 165809 (2021)
  4. Momida H, Ohno T 117 (10) (2020)
  5. Olikh Ya, Tymochko M, Olikh O Journal of Elec Materi 49 4524 (2020)
  6. Le Roch A, Virmontois C et al IEEE Trans. Nucl. Sci. 67 1241 (2020)
  7. Coutinho J, Markevich V P, Peaker A R J. Phys.: Condens. Matter 32 323001 (2020)
  8. Olikh O Ya, Gorb A M et al Journal of Applied Physics 123 161573 (2018)
  9. Gajc M, Surma H B, Pawlak D A Sci Rep 8 (1) (2018)
  10. Olikh Ya M Optoelektron. napìvprovìd. teh. 53 199 (2018)
  11. Lastovskii S B, Markevich V P et al Semiconductors 50 751 (2016)
  12. Kukushkin S A, Osipov A V, Telyatnik R S Phys. Solid State 58 971 (2016)
  13. Grekhov I V, Kostina L S et al Tech. Phys. Lett. 40 1069 (2014)
  14. Yeritsyan H N, Harutunyan V V et al JMP 04 180 (2013)
  15. Khirunenko L I, Pomozov Yu V, Sosnin M G Semiconductors 47 269 (2013)
  16. Yeritsyan H N, Sahakyan A A et al JMP 03 383 (2012)
  17. Shmelev E I, Klyuev A V, Yakimov A V 2011 21st International Conference on Noise and Fluctuations, (2011) p. 176
  18. Bagraev N T, Mashkov V A et al JMP 02 544 (2011)
  19. Olikh Ya M, Tymochko M D Tech. Phys. Lett. 37 37 (2011)
  20. Makhkamov Sh, Tursunov N A et al Russ Phys J 53 499 (2010)
  21. Pokotilo Yu M, Petukh A N et al Inorg Mater 45 1205 (2009)
  22. Karazhanov S Zh, Nærland T U et al MRS Proc. 1210 (2009)
  23. Babych V M Semicond. phys. quantum electron. optoelectron. 12 375 (2009)
  24. Pokotilo Yu M, Petukh A N, Dzichkovski O A Semiconductors 42 873 (2008)
  25. Pokotilo Yu M, Petukh A N et al Tech. Phys. Lett. 34 498 (2008)
  26. Nikitina A G, Zuev V V Semiconductors 42 142 (2008)
  27. Poklonski N A, Vyrko S A, Zabrodskii A G Semiconductors 42 1388 (2008)
  28. Khirunenko L I, Sosnin M G et al Phys. Rev. B 78 (15) (2008)
  29. Hopkinson G R, Goiffon V, Mohammadzadeh A IEEE Trans. Nucl. Sci. 55 2197 (2008)
  30. Hopkinson G R, Goiffon V, Mohammadzadeh A 2007 9th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems, (2007) p. 1
  31. Makarenko L F, Moll M et al 101 (11) (2007)
  32. Dovganyuk V V Semicond. phys. quantum electron. optoelectron. 9 95 (2006)
  33. Khirunenko L I, Pomozov Yu V et al SSP 108-109 261 (2005)
  34. KOZLOVSKI V, ABROSIMOVA V Int. J. Hi. Spe. Ele. Syst. 15 1 (2005)
  35. Pokotilo Yu M, Petukh A N et al SSP 108-109 229 (2005)
  36. Pokotilo Yu M, Petukh A N et al Semiconductors 39 768 (2005)
  37. Pokotilo Yu M, Petukh A N, Litvinov V V Tech. Phys. Lett. 30 962 (2004)
  38. Pichler P Intrinsic Point Defects, Impurities, and Their Diffusion in Silicon Computational Microelectronics Chapter 4 (2004) p. 281
  39. Pokotilo Yu M, Petukh A N, Litvinov V V Tech. Phys. Lett. 29 804 (2003)
  40. Davidyuk G E, Oksyuta V A, Manzhara V S Phys. Solid State 44 255 (2002)
  41. Kozlov V A, Kozlovski V V Semiconductors 35 735 (2001)
  42. Abdullin Kh A, Gorelkinskii Yu V, Mukashev B N Physica B: Condensed Matter 308-310 178 (2001)
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение