Выпуски

 / 

1999

 / 

Апрель

  

Конференции и симпозиумы


Одноэлектронные транзисторы на основе эффектов кулоновской блокады и квантовой интерференции

, , ,
Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Сессия РАН 16.12.1998

Текст pdf (445 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1999v042n04ABEH000458
PACS: 73.23.Hb
DOI: 10.3367/UFNr.0169.199904j.0471
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1999/4/j/
000080487700010
Цитата: Квон З Д, Литвин Л В, Ткаченко В А, Асеев А Л "Одноэлектронные транзисторы на основе эффектов кулоновской блокады и квантовой интерференции" УФН 169 471–474 (1999)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
@article{Kvon:1999,
	author = {Z. D. Kvon and L. V. Litvin and V. A. Tkachenko and A. L. Aseev},
	title = {One-electron transistors based on Coulomb blockade and quantum interference},
	publisher = {Uspekhi Fizicheskikh Nauk},
	year = {1999},
	journal = {Usp. Fiz. Nauk},
	volume = {169},
	number = {4},
	pages = {471-474},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/1999/4/j/},
	doi = {10.3367/UFNr.0169.199904j.0471}
}

English citation: Kvon Z D, Litvin L V, Tkachenko V A, Aseev A L “One-electron transistors based on Coulomb blockade and quantum interferencePhys. Usp. 42 402–405 (1999); DOI: 10.1070/PU1999v042n04ABEH000458

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение