Выпуски

 / 

1998

 / 

Август

  

Обзоры актуальных проблем


Примесь таллия в халькогенидах свинца: методы исследования и особенности

,
Санкт-Петербургский государственный технический университет, радиофизический факультет, Санкт-Петербург, Российская Федерация

Систематизированы экспериментальные данные и обобщены результаты исследований явлений переноса, оптического поглощения, низкотемпературной теплоемкости, туннельной спектроскопии, магнитной восприимчивости, сверхпроводимости и самокомпенсации в халькогенидах свинца PbTe, PbSe, PbS и твердых растворах на их основе, легированных акцепторной примесью таллия. С единых позиций в рамках концепции резонансных состояний Tl, расположенных на фоне валентной зоны исследованных полупроводников, объяснены наблюдаемые особенности физических свойств. Сделаны оценки параметров примесных резонансных состояний и определена их зависимость от температуры, давления и состава материалов.

Текст pdf (945 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1998v041n08ABEH000427
PACS: 71.20.−b, 71.55.−i, 74.70.−b, 78.90.+t (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0168.199808a.0817
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1998/8/a/
000076154900001
Цитата: Немов С А, Равич Ю И "Примесь таллия в халькогенидах свинца: методы исследования и особенности" УФН 168 817–842 (1998)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Nemov S A, Ravich Yu I “Thallium dopant in lead chalcogenides: investigation methods and peculiaritiesPhys. Usp. 41 735–759 (1998); DOI: 10.1070/PU1998v041n08ABEH000427

Список литературы (116) Статьи, ссылающиеся на эту (134) Похожие статьи (20) ↓

  1. В.И. Кайданов, Ю.И. Равич «Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа AIVBVI» 145 51–86 (1985)
  2. Б.А. Волков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов «Примеси с переменной валентностью в твердых растворах на основе теллурида свинца» 172 875–906 (2002)
  3. И.М. Цидильковский «Бесщелевые полупроводники с магнитными примесями, образующими резонансные донорные состояния» 162 (2) 63–105 (1992)
  4. Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов «Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца» 184 1033–1044 (2014)
  5. Б.Н. Мукашев, Х.А. Абдуллин, Ю.В. Горелкинский «Метастабильные и бистабильные дефекты в кремнии» 170 143–155 (2000)
  6. Э.З. Кучинский, И.А. Некрасов, М.В. Садовский «Обобщённая теория динамического среднего поля в физике сильнокоррелированных систем» 182 345–378 (2012)
  7. К.В. Мицен, О.М. Иваненко «Фазовая диаграмма La2-xMxCuO4 как ключ к пониманию природы ВТСП» 174 545–563 (2004)
  8. В.В. Мощалков, Н.Б. Брандт «Немагнитные кондо-решетки» 149 585–634 (1986)
  9. Н.И. Каширина, В.Д. Лахно «Биполярон большого радиуса и взаимодействие поляронов» 180 449–473 (2010)
  10. М.А. Кривоглаз «Флуктуонные состояния электронов» 111 617–654 (1973)
  11. М.Ф. Дейген, М.Д. Глинчук «Параэлектрический резонанс нецентральных ионов» 114 185–211 (1974)
  12. Ю.А. Изюмов, Э.З. Курмаев «Новый класс высокотемпературных сверхпроводников в FeAs-cистемах» 178 1307–1334 (2008)
  13. Б.З. Каценеленбаум, Е.Н. Коршунова и др. «Киральные электродинамические объекты» 167 1201–1212 (1997)
  14. М.В. Садовский «Высокотемпературная сверхпроводимость в слоистых соединениях на основе железа» 178 1243–1271 (2008)
  15. А.С. Мищенко «Диаграммный метод Монте-Карло в применении к проблемам поляронов» 175 925–942 (2005)
  16. Ч.Б. Лущик, И.К. Витол, М.А. Эланго «Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах» 122 223–251 (1977)
  17. Б.Т. Гейликман «О проблемах высокотемпературной сверхпроводимости в трехмерных системах» 109 65–90 (1973)
  18. Г.С. Кринчик «Динамические эффекты электро- и пьезоотражения света кристаллами» 94 143–154 (1968)
  19. А.П. Леванюк, Р.А. Сурис «О некоторых свойствах сверхпроводящих соединений типа V3Si» 91 113–120 (1967)
  20. Е.Г. Максимов, Д.Ю. Саврасов, С.Ю. Саврасов «Электрон-фононное взаимодействие и физические свойства металлов» 167 353–376 (1997)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение