Зондирование динамических зарядовых состояний с помощью одноэлектронных туннельных транзисторов

В.А. Крупенин^а, С.В. Лотхов^а, Х. Шерер^б, А.Б. Зорин^б, Ф.Й. Алерс^б, Й. Нимайер^б, Х. Вольф^б
^аМосковский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация
^бPhysikalisch-Technische Bundesanstalt, Braunschweig, Germany

Доклад на конференции «Мезоскопические и сильнокоррелированные электронные системы», Черноголовка — 97

Текст pdf (592 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1998v041n02ABEH000365

PACS: 73.40.−c, 74.80.Fp
DOI: 10.3367/UFNr.0168.199802ac.0219
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1998/2/ac/
Web of Science

000072729300028
Цитата: Крупенин В А, Лотхов С В, Шерер Х, Зорин А Б, Алерс Ф Й, Нимайер Й, Вольф Х "Зондирование динамических зарядовых состояний с помощью одноэлектронных туннельных транзисторов" УФН 168 219–222 (1998)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)

MedlineRefWorks

Русский

English

PT Journal Article
TI Sensing of dynamic charge states using single-electron tunneling transistors
AU Krupenin V A
FAU Krupenin VA
AU Lotkhov S V
FAU Lotkhov SV
AU Scherer H
FAU Scherer H
AU Zorin A B
FAU Zorin AB
AU Ahlers F-J
FAU Ahlers F
AU Niemeyer J
FAU Niemeyer J
AU Wolf H
FAU Wolf H
DP 10 Feb, 1998
TA Usp. Fiz. Nauk
VI 168
IP 2
PG 219-222
RX 10.3367/UFNr.0168.199802ac.0219
URL https://ufn.ru/ru/articles/1998/2/ac/
SO Usp. Fiz. Nauk 1998 Feb 10;168(2):219-222

English citation: Krupenin V A, Lotkhov S V, Scherer H, Zorin A B, Ahlers F-J, Niemeyer J, Wolf H “Sensing of dynamic charge states using single-electron tunneling transistors” Phys. Usp. 41 204–206 (1998); DOI: 10.1070/PU1998v041n02ABEH000365