Зондирование динамических зарядовых состояний с помощью одноэлектронных туннельных транзисторов

В.А. Крупенин^а, С.В. Лотхов^а, Х. Шерер^б, А.Б. Зорин^б, Ф.Й. Алерс^б, Й. Нимайер^б, Х. Вольф^б
^аМосковский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация
^бPhysikalisch-Technische Bundesanstalt, Braunschweig, Germany

Доклад на конференции «Мезоскопические и сильнокоррелированные электронные системы», Черноголовка — 97

Текст pdf (592 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1998v041n02ABEH000365

PACS: 73.40.−c, 74.80.Fp
DOI: 10.3367/UFNr.0168.199802ac.0219
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1998/2/ac/
Web of Science

000072729300028
Цитата: Крупенин В А, Лотхов С В, Шерер Х, Зорин А Б, Алерс Ф Й, Нимайер Й, Вольф Х "Зондирование динамических зарядовых состояний с помощью одноэлектронных туннельных транзисторов" УФН 168 219–222 (1998)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Krupenin V A, Lotkhov S V, Scherer H, Zorin A B, Ahlers F-J, Niemeyer J, Wolf H “Sensing of dynamic charge states using single-electron tunneling transistors” Phys. Usp. 41 204–206 (1998); DOI: 10.1070/PU1998v041n02ABEH000365

Список литературы (7) ↓ Похожие статьи (20)

Averin D V, Likharev K K Mesoscopic Phenomena in Solids (Modern Problems in Condensed Matter Sciences) Vol. 30 (Eds B L Altshuler, P A Lee, R A Webb) (Amsterdam: North-Holland, 1991)
Lafarge P et al. Z. Phys. B 85 327 (1991)
Keller M W et al. Appl. Phys. Lett. 69 1804 (1996)
Krupenin V A et al. Proceedings of the 21st International Conference on Low Temperature Physics; Krupenin V A et al. Czech. J. Phys. 46-S4 2283 (1996)
Krupenin V A et al Phys. Rev. B, submitted
Kautz R L, Zimmerli G, Martinis J M J. Appl. Phys. 73 2386 (1993)
Roukes M L et al. Phys. Rev. Lett. 55 422 (1985)