Зондирование динамических зарядовых состояний с помощью одноэлектронных туннельных транзисторов

В.А. Крупенин^а, С.В. Лотхов^а, Х. Шерер^б, А.Б. Зорин^б, Ф.Й. Алерс^б, Й. Нимайер^б, Х. Вольф^б
^аМосковский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация
^бPhysikalisch-Technische Bundesanstalt, Braunschweig, Germany

Доклад на конференции «Мезоскопические и сильнокоррелированные электронные системы», Черноголовка — 97

Текст pdf (592 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1998v041n02ABEH000365

PACS: 73.40.−c, 74.80.Fp
DOI: 10.3367/UFNr.0168.199802ac.0219
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1998/2/ac/
Web of Science

000072729300028
Цитата: Крупенин В А, Лотхов С В, Шерер Х, Зорин А Б, Алерс Ф Й, Нимайер Й, Вольф Х "Зондирование динамических зарядовых состояний с помощью одноэлектронных туннельных транзисторов" УФН 168 219–222 (1998)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline

RefWorks

Русский

English

RT Journal
T1 Зондирование динамических зарядовых состояний с помощью одноэлектронных туннельных транзисторов
A1 Крупенин,В.А.
A1 Лотхов,С.В.
A1 Шерер,Х.
A1 Зорин,А.Б.
A1 Алерс,Ф.Й.
A1 Нимайер,Й.
A1 Вольф,Х.
PB Успехи физических наук
PY 1998
FD 10 Feb, 1998
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 168
IS 2
SP 219-222
DO 10.3367/UFNr.0168.199802ac.0219
LK https://ufn.ru/ru/articles/1998/2/ac/

English citation: Krupenin V A, Lotkhov S V, Scherer H, Zorin A B, Ahlers F-J, Niemeyer J, Wolf H “Sensing of dynamic charge states using single-electron tunneling transistors” Phys. Usp. 41 204–206 (1998); DOI: 10.1070/PU1998v041n02ABEH000365