Выпуски

 / 

1998

 / 

Февраль

  

Конференции и симпозиумы


Зондирование динамических зарядовых состояний с помощью одноэлектронных туннельных транзисторов

 а,  а,  б,  б,  б,  б,  б
а Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация
б Physikalisch-Technische Bundesanstalt, Braunschweig, Germany

Доклад на конференции «Мезоскопические и сильнокоррелированные электронные системы», Черноголовка — 97

Текст pdf (592 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1998v041n02ABEH000365
PACS: 73.40.−c, 74.80.Fp
DOI: 10.3367/UFNr.0168.199802ac.0219
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1998/2/ac/
000072729300028
Цитата: Крупенин В А, Лотхов С В, Шерер Х, Зорин А Б, Алерс Ф Й, Нимайер Й, Вольф Х "Зондирование динамических зарядовых состояний с помощью одноэлектронных туннельных транзисторов" УФН 168 219–222 (1998)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
@article{Krupenin:1998,
	author = {В. А. Крупенин and С. В. Лотхов and Х. Шерер and А. Б. Зорин and Ф. Й. Алерс and Й. Нимайер and Х. Вольф},
	title = {Зондирование динамических зарядовых состояний с помощью одноэлектронных туннельных транзисторов},
	publisher = {Успехи физических наук},
	year = {1998},
	journal = {Усп. физ. наук},
	volume = {168},
	number = {2},
	pages = {219-222},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/1998/2/ac/},
	doi = {10.3367/UFNr.0168.199802ac.0219}
}

English citation: Krupenin V A, Lotkhov S V, Scherer H, Zorin A B, Ahlers F-J, Niemeyer J, Wolf H “Sensing of dynamic charge states using single-electron tunneling transistorsPhys. Usp. 41 204–206 (1998); DOI: 10.1070/PU1998v041n02ABEH000365

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение