Issues

 / 

1998

 / 

February

  

Conferences and symposia


Sensing of dynamic charge states using single-electron tunneling transistors

 a,  a,  b,  b,  b,  b,  b
a Lomonosov Moscow State University, Department of Physics, Leninskie Gory 1 build. 2, Moscow, 119991, Russian Federation
b Physikalisch-Technische Bundesanstalt, Braunschweig, Germany
PACS: 73.40.−c, 74.80.Fp
DOI: 10.1070/PU1998v041n02ABEH000365
URL: https://ufn.ru/en/articles/1998/2/ac/
Citation: Krupenin V A, Lotkhov S V, Scherer H, Zorin A B, Ahlers F-J, Niemeyer J, Wolf H "Sensing of dynamic charge states using single-electron tunneling transistors" Phys. Usp. 41 204–206 (1998)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Оригинал: Крупенин В А, Лотхов С В, Шерер Х, Зорин А Б, Алерс Ф Й, Нимайер Й, Вольф Х «Зондирование динамических зарядовых состояний с помощью одноэлектронных туннельных транзисторов» УФН 168 219–222 (1998); DOI: 10.3367/UFNr.0168.199802ac.0219

© 1918–2020 Uspekhi Fizicheskikh Nauk
Email: ufn@ufn.ru Editorial office contacts About the journal Terms and conditions